MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60

Название:Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60
Просмотров:121
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: МЕХАНИЗМ РОСТА КРИСТАЛЛИТОВ ФУЛЛЕРИТА В ПЛЕНКАХ Sn - C60 Кристаллы в форме нитей и волокон, встречающиеся в природе, давно привлекали людей своим необычным внешним видом. В разное время и в разных местах были най

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

МЕХАНИЗМ РОСТА КРИСТАЛЛИТОВ ФУЛЛЕРИТА В ПЛЕНКАХ Sn - C60

Кристаллы в форме нитей и волокон, встречающиеся в природе, давно привлекали людей своим необычным внешним видом. В разное время и в разных местах были найдены кристаллические иглы, волокна, нити различных силикатов, карбонатов, сульфидов, оксидов, сульфатов, фосфатов и многих других химических веществ. Самопроизвольный рост нитевидных кристаллов (названных вискерами или усами) был обнаружен и в искусственно созданных приборах на основе олова в первой половине прошлого столетия.

Известно, что нитевидные кристаллы металлов с низкой температурой плавления (Sn, Cd, Zn, Sb, In и другие) способны расти на тонких слоях металла без всякого постороннего воздействия при комнатной температуре. Фуллерит является кристаллом с низкой температурой сублимации (650 К), поэтому самопроизвольный рост нитевидных кристаллов фуллерита возможен при комнатной температуре. В работах [1-2] автором случайно обнаружено образование цветкоподобных образований на поверхности пленок олово - фуллерит и хром - фуллерит, хранившихся в эксикаторах более двух лет.

Целью настоящей работы является определение инкубационного периода и установление механизма роста кристаллитов фуллерита в пленках олово - фуллерит.

Пленки получены методом термического испарения в вакууме. На подложку из окисленного монокристаллического кремния с ориентацией поверхности (111) сначала осаждалась пленка фуллерита толщиной 300 нм, затем слой олова различной толщины (d = 50, 100, 200 и 300 нм). Топография поверхности образцов исследовалась на сканирующем зондовом микроскопе "Solver P47 - PRO" в полуконтактном режиме. Фазовый состав пленок контролировался с помощью дифрактометра "ДРОН‑4.13" в медном Кa - излучении. Структура пленок исследовалась на растровом электронном микроскопе "LEO - 1455 VP" при ускоряющем напряжении 20 кВ.

Свежеприготовленные пленки фуллерита имеют гранулированную структуру со средним размером гранул 80 нм (рис.1 а), при этом средняя арифметическая шероховатость поверхности, измеренная методом АСМ, составляет 3 нм. Размер зерен олова, осажденного на С60, зависит от толщины пленки: при конденсации на фуллеритовый слой олова толщиной 50 нм и 100 нм формируется островковая пленка. Пленки толщиной 200 и 300 нм осаждаются в виде сплошного поликристаллического слоя, образуя продолговатые зерна длиной 300¼600 нм (рис 1 б). Средняя арифметическая шероховатость поверхности пленки Sn составляет 20 нм.

На рентгенограммах свежеприготовленных пленок C60 (d = 300 нм) - Sn (d = 200 нм) олово представлено узкими интенсивными линиями, которые индицируются в тетрагональной сингонии (рис.2). При конденсации на фуллеритовый слой в пленке олова возникают внутренние механические напряжения, обусловленные несоответствием параметров решеток контактирующих материалов (фуллерита и олова), различием коэффициентов термического расширения (aС60 = 40×10-6 К-1, aSn = 30×10‑6 К‑1) и структурными дефектами. В области малых углов на рентгенограмме наблюдается гало, образованное рефлексами, соответствующими отражениям от плоскостей гексагональной решетки фуллерита с параметрами а =1,0020 нм, с = 1,6381 нм.

В слое фуллерита присутствуют напряжения сжатия, о чем свидетельствует смещение центра тяжести рефлексов из положения равновесия в сторону больших углов.


 

а                          б

Рис.1. ............







Похожие работы:

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:649
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

Название:Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Просмотров:377
Описание: Федеральное агентство по образованию РФ Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» Кафедра микроэлектроники Отчет по лабораторной работе №3 Исследован

Название:Свойства полупроводников в сильных электрических полях
Просмотров:282
Описание: МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ» Кафедра «Радиоэлектронные и телекоммуникационн

Название:Полупроводниковые приборы
Просмотров:212
Описание: Содержание Полупроводниковые приборы Полупроводниковый диод Туннельный диод Стабилитрон Полупроводниковый стабилитрон Варикап Транзистор Полевой транзистор Тиристор   Полупроводник

Название:Основные качества полупроводников
Просмотров:138
Описание: Міністерство транспорту та зв’язку України Українська державна академія залізничного транспорту Кафедра транспортний зв’язок Контрольна робота з дисципліни «Напівпровідні прибор

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru