ЗМІСТ
ВСТУП
1.ОГЛЯД ЛІТЕРАТУРИ
1.1 Принцип роботи адсорбційних чутливих елементів
1.2 Загальна характеристика адсорбційних чутливих елементів
1.3 Адсорбційні чутливі елементи нового покоління
2 ОСОБЛИВОСТІ ДОСЛІДЖЕННЯ АЧЕ, ЩО ПРАЦЮЮТЬ В РЕЖИМІ ЦИКЛІЧНОЇ ЗМІНИ ТЕМПЕРАТУРИ
2.1.Опис пристрою реєстрації аналогових сигналів
2.2.Дослідження двокомпонентних АЧЕ
ВИСНОВКИ
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
ВСТУП
Сучасний стан промисловості характеризується широкою автоматизацією технологічних процесів, переходом до розподілених АСУТП і гнучким автоматизованим виробництвом, що призвело до різкого зростання вимог до швидкості визначення параметрів і одержання результатів сприйняття і вимірювання в формі, зручній для подальшої обробки інформації в вимірювально-обчислювальних комплексах. Область використання систем управління і вимірювальних інформаційних систем часто обмежується через недостатню чутливість, точність і стабільність первинних перетворювачів-датчиків, їх невелику швидкодію і надійність, недостатньо малі габарити. За своїми функціональними можливостями, надійністю і вартістю датчики виявляються найслабкішою ланкою систем управління і вимірювання.
В зв’язку з цим останнім часом багато уваги стали приділяти, зокрема, розробці датчиків складу газових середовищ. Суттєвим кроком вперед стало створення нового класу датчиків, які перетворюють значення концентрації безпосередньо у вихідний електричний сигнал, а саме адсорбційних чутливих елементів (АЧЕ). Вони мають наступні переваги: висока швидкодія і практично миттєва реакція на появу певного газу, великий термін служби, простота конструкції, надійність, малі габарити, незначна вартість, мале енергоспоживання і т.п. Завдяки логарифмічній залежності опору напівпровідникового матеріалу від концентрації газу АЧЕ використовуються в широкому діапазоні концентрацій газу, мають високу чутливість до низьких концентрацій і великий вихідний сигнал без підсилення.
1 ОГЛЯД ЛІТЕРАТУРИ
1.1 Принцип роботи адсорбційних чутливих елементів
В основу роботи адсорбційних чутливих елементів покладена властивість напівпровідників змінювати свою електропровідність під впливом хемосорбції. Згідно з електронною теорією [1] цей ефект є наслідком зарядження поверхні при хемосорбції досліджуваного газу і зміщення рівня Фермі, що внаслідок цього відбувається.
Зарядження поверхні при хемосорбції в свою чергу зумовлено наявністю на поверхні "міцної" форми хемосорбції, тобто такої форми, при якій хемосорбована частинка утримує на собі вільний електрон або "дірку" кристалічної решітки. Величина і знак поверхневого заряду, що виникає при хемосорбції, залежать від природи хемосорбованих частинок, ступеня заповнення поверхні і положення рівня Фермі. Від заряду поверхні буде залежати і ступінь зміни електропровідності АЧЕ. Таким чином, залежність електропровідності АЧЕ від природи і концентрації частинок, хемосорбованих на його поверхні, дозволяє з великою точністю визначати наявність різних за своєю природою мікродомішок в досліджуваному газовому середовищі. Вказане явище особливо зручно спостерігати в тому випадку, коли АЧЕ виготовлено у вигляді тонкої монокристалічної або полікристалічної плівки, товщина якої не перевищує довжину екранування, рівну, наприклад, для напівпровідникових окислів металів в середньому 0,1-1 мкм [2].
До напівпровідників всіх форм, що використовуються як робочі елементи АЧЕ, є наступні вимоги: напівпровідники повинні мати достатню хімічну стійкість, не повинні утворювати стійких хімічних сполук з адсорбованими частинками, а також мати достатню механічну і термічну міцність. ............
