Біполярні транзистори

Зміст

Вступ

Теоретична частина

1.Загальні відомості

2. Принцип дії n–p–n транзистора

3. Підсилення за допомогою транзистора

3.1 Схеми включення транзисторів (СБ, СК, СЕ)

3.2 Схема із спільним емітером (СЕ)

3.3 Схема із спільною базою (СБ)

3.4 Схема із суспільним колектором (СК)

4. h-параметри

5. Вплив температури на роботу біполярного транзистора

Вступ

У 1958 р. американські учені Дж. Бардін і В. Браттейн створили напівпровідниковий тріод, або транзистор. Ця подія мала величезне значення для розвитку напівпровідникової електроніки. Транзистори можуть працювати при значно меншій напрузі, чим лампові тріод, і не є простими замінниками останніх: їх можна використовувати не лише для посилення і генерації змінного струму, але і як ключові елементи. Визначення "біполярний" вказує на те, що робота транзистора пов'язана з процесами, в яких беруть участь носії заряду двох сортів (електрони і дірки). Визначення "біполярний" вказує на те, що робота транзистора пов'язана з процесами, в яких беруть участь носії заряду двох сортів (електрони і дірки).

1. Загальні відомості

Транзистори – це напівпровідникові прилади, придатні для посилення потужності, що мають три виводи, або більше. У транзисторах може бути різне число переходів між областями з різною електропровідністю. Найбільш поширені транзистори з двома n–p–переходами, звані біполярними, оскільки їх робота заснована на використанні носіїв заряду обох знаків. Перші транзистори були точковими, але вони працювали недостатньо стійко. В даний час виготовляються і застосовуються виключно площинні транзистори.

Будова площинного біполярного транзистора показаний схематично на мал.1

Мал.1 Будова площинного біполярного транзистора

Транзистор являє собою пластину германію, або кремнію, або іншого напівпровідника, в якій створено три області з різною електропровідністю. Для прикладу узятий транзистор типа n–p–n , що має середню область з дірковою, а дві крайні області – з електронною електропровідністю. Розповсюджені також транзистори типу p–n–p , у яких дірковою електропровідністю володіють дві крайні області, а середня має електронну електропровідність.

Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, інша – колектором.

Таким чином, в транзисторі є два n–p–переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Відстань між ними має бути дуже малою, не більш за одиниці мікрометрів, тобто область бази має бути дуже тонкою. Це є умовою хорошої роботи транзистора. Крім того, концентрація домішок в базі завжди значно менше, ніж в колекторі і емітері. Від бази, емітера і колектора зроблені виводи.

Для величин, що відносяться до бази, емітера і колектора, застосовують як індекси букви “б”, “е” і “к”. Струми в дротах бази, емітера і колектора позначають відповідно iб, iэ, iк. Напруга між електродами позначають подвійними індексами, наприклад напруга між базою і емітером Uб-э , між колектором і базою Uк-б . На умовному графічному позначенні (мал.2) транзисторів p–n–p і n–p–n стрілка показує умовний (від плюса до мінуса) напрям струму в дроті емітера при прямій напрузі на емітерному переході.

Мал.2 Умовне графічне позначення транзисторів

Залежно від того, в яких станах знаходяться переходи транзистора, розрізняють режими його роботи. ............