Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4 3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин 5 3.1. Возникновение загрязнений 5 3.2. Источники загрязнений 6 3.3. Виды загрязнений 6 4. Методы удаления загрязнений 8 4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8 4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек 9 4.2.1. Обезжиривание 9 4.2.2. Травление 10 4.2.3. Промывание пластин и подложек 13 4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13 4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15 4.3.1. Термообработка 15 4.3.2. Газовое травление 16 4.3.3. Ионное травление 17 4.3.4. Плазмохимическое травление 17 4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19 5. Заключение 20 6. Список литературы 20 1. Введение
    Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
    Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.
    Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.
    Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.
    Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).
    Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).
    В обоих случаях важное значение имеет качество обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек.
    * Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение.
    Подложки в технологии изготовления и конструировании пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. ............