П Л А Н
    Память.
    Классификация оперативной памяти (ОЗУ) Введение 1. Энергозависимая и энергонезависимая память 2. SRAM и DRAM.
    2.1. Триггеры.
    2.2. Элементная база логики.
    2.3. SRAM. Замечания.
    2.4. DRAM. Что это такое? 3. Динамическое ОЗУ.
    3.1. Устаревшие модификации.
    3.1.1. DIP.
    3.1.2. SIPP (SIP) -модули памяти.
    3.2. SIMM-модули.
    3.2.1. Сравнение SIMM-модулей.
    3.2.2. Причины повышения скорости работы EDO RAM.
    3.3.DIMM
    3.3.1. SDRAM.
    3.3.2. ESDRAM.
    3.3.3. SDRAM II.
    3.3.4. SLDRAM.
    3.3.5. Память от Rambus (RDRAM, RIMM). 4. Оперативная кэш-память. 5. Постоянное запоминающее устройство. 6. Флэш-память. 7. CMOS-память. 8. Недостатки перезаписываемой памяти.
    8.1. Потеря данных в CMOS.
    8.2. Потеря данных в flash-памяти.
    
    Память.
    Одним из важнейших устройств компьютера является память, или запоминающее устройство (ОЗУ). По определению, данном в книге "Информатика в понятиях и терминах", ОЗУ - "функциональная часть цифровой вычислительной машины, предназначенной для записи, хранения и выдачи информации, представленных в цифровом виде." Однако под это определение попадает как собственно память, так и внешние запоминающие устройства (типа накопителей на жестких и гибких дисках, магнитной ленты, CD-ROM), которые лучше отнести к устройствам ввода/вывода информации. Таким образом под компьютерной памятью в дальнейшем будет пониматься только "внутренняя память компьютера: ОЗУ, ПЗУ, кэш память и флэш-память". Итак, рассмотрим классификацию внутренней памяти компьютера.
    Классификация оперативной памяти (ОЗУ)
    Введение
    Оперативное запоминающее устройство является, пожалуй, одним из самых первых устройств вычислительной машины. Она присутствовала уже в первом поколении ЭВМ по архитектуре ("Информатика в понятиях и терминах"), созданных в сороковых - в начале пятидесятых годов двадцатого века. За эти пятьдесят лет сменилось не одно поколение элементной базы, на которых была построена память. Поэтому автор приводит некоторую классификацию ОЗУ по элементной базе и конструктивным особенностям.
    1. Энергозависимая и энергонезависимая память
    ЭВМ первого поколения по элементной базе были крайне ненадежными. Так, среднее врем работы до отказа для ЭВМ "ENIAC" составляла 30 минут. Скорость счета при этом была не сравнима со скоростью счета современных компьютеров. Поэтому требования к сохранению данных в памяти компьютера при отказе ЭВМ были строже, чем требования к быстродействию оперативной памяти. Вследствие этого в этих ЭВМ использовалась энергонезависимая память.
    Энергонезависимая память позволяла хранить введенные в нее данные продолжительное время (до одного месяца) при отключении питания. Чаще всего в качестве энергонезависимой памяти использовались ферритовые сердечники. Они представляют собой тор, изготовленных из специальных материалов - ферритов. Ферриты характеризуются тем, что петля гистерезиса зависимости их намагниченности от внешнего магнитного пол носит практически прямоугольный характер.
    Рис. B.1. Диаграмма намагниченности ферритов.
    Вследствие этого намагниченность этого сердечника меняется скачками (положение двоичного 0 или 1, смотри рисунок B.1.) Поэтому, собрав схему, показанную на рисунке B.2, практически собран простейший элемент памяти емкостью в 1 бит. ............