MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Наука и техника -> Конструирование микросхем

Название:Конструирование микросхем
Просмотров:149
Раздел:Наука и техника
Ссылка:Скачать(21 KB)
Описание:Основными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления.

Часть полного текста документа:

Конструирование микросхем и микропроцессоров Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Рис. 1. Схема электрическая принципиальная Таблица 1. Номиналы элементов схемы: Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал Элемент Номинал R1 950 Ом R7 4,25 кОм R13 1 кОм R19 1 кОм R2 14 кОм R8 12,5 кОм R14 3,5 кОм C1 3800 пФ R3 45 кОм R9 500 Ом R15 10 кОм VT1-VT8 КТ 312 R4 35 кОм R10 3 кОм R16 3,5 кОм E 7,25 В R5 12,5 кОм R11 10 кОм R17 2,5 кОм R6 950 Ом R12 500 Ом R18 1 кОм Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке. Рис. 2. Возможная схема включения Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения Элемент Номинал Элемент Номинал RA 8,2 кОм CB 1 мкФ RB 43 Ом CC 0,033 мкФ RC 2,2 кОм CD 0,015 мкФ RD 1,5 кОм CE 4700 пФ CA 3300 пФ CF 3300 пФ Технические требования: Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе. Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям: * предельная рабочая температура - 150? С; * расчетное время эксплуатации - 5000 часов; * вибрация с частотой - 5-2000 Гц; * удары многократные с ускорением 35; * удары однократные с ускорением 100; * ускорения до 50. Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год. Аннотация Целью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной технологии. В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили результаты: - произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS", в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов; - произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы; - произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между элементами; - выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79. Введение Приведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы: Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном транзисторе Т7, Т8. Низкочастотный сигнал с резистора R19, включенного в эмиттерную цепь, подается через внешний фильтр на предварительный усилитель НЧ (низкой частоты), а также через резистор R15 на базу транзистора Т3, входящего в усилитель АРУ. ............




Нет комментариев.



Оставить комментарий:

Ваше Имя:
Email:
Антибот:  
Ваш комментарий:  



Похожие работы:

Название:Расчет элементов и узлов аппаратуры связи
Просмотров:132
Описание: Уральский технический институт связи и информатики (филиал) Сибирского государственного университета телекоммуникаций и информатики (УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ») Курсовая работа по дис

Название:Анализ элементов кредитного договора
Просмотров:67
Описание: Содержание Введение 1. Кредитный договор 1.1 Понятие и сущность кредита 1.2 Понятие кредитного договора 2. Условия и формы кредитования 2.1 Содержание и исполнение кредитного договора 2.2 Отдельные разнов

Название:Классификация химических элементов по Гольдшмидту. Геохимические барьеры
Просмотров:172
Описание: Московский Государственный Открытый Университет Контрольная работа по дисциплине: Геохимия Москва 2010 г. 1.  Геохимическая классификация химич

Название:Полупроводниковые микросхемы. Векторная диаграмма электрической цепи. Однополупериодный выпрямитель
Просмотров:174
Описание: Контрольная работа № 2 Электротехника Вариант № 49     Задание 1   Вопрос 49. Элементы полупроводниковых схем и их соединение   Ответ Универсальным элементом моно

Название:Китайская теория Пяти элементов (У-Син)
Просмотров:134
Описание: Содержание 1.  Китайская теория 5 элементов (У-Син) 2.  Организм человека в теории У-син. 3.  Применение теории 5 элементов в китайской медицине Литература 1. Китайская теория 5 элементов (У-Син)

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru