Министерство образования Российской Федерации Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого Кафедра физики твёрдого тела и микроэлектроники Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора Курсовая работа по дисциплине: Математическое моделирование технологических процессов полупроводниковых приборов и ИМС
    Принял: доцент кафедры ФТТМ
    ___________ Б.М. Шишлянников "_____" _________ 2000 г. доцент кафедры ФТТМ
    ___________ В.Н. Петров "_____" _________ 2000 г
    Выполнил: Студент гр. 6031
    ___________ Д.С. Бобров "_____" _________ 2000 г. Великий Новгород 2000 Техническое задание
    1 Предложить топологический вариант и представить режим технологического процесса изготовления биполярной структуры интегральной схемы полагая, что локальное легирование производиться методом диффузии.
    2 Представить распределение примесей в отдельных областях структуры. Процессы сегрегации примеси при окислении можно не учитывать.
    3 Рассчитать параметры модели биполярного транзистора, исходя из значений слоевых сопротивлений и толщины слоев структуры.
    4 Рассчитать входные и выходные характеристики биполярного транзистора.
    5 Рассчитать основные параметры инвертора, построенного на базе биполярного транзистора (напряжения логических уровней, пороговые напряжения, помехоустойчивость схемы, времена задержки и средний потребляемый ток схемы).
    6 Рассчеты провести для номинальных значений режимов процесса диффузионного легирования и для двух крайних значений, определяемых с точностью поддержания температур при легировании области эмиттера Т=1.5 0С.
    7 Разрешается аргументированная корректировка параметров технологического процесса или заданных слоев, с тем чтобы получить приемлемые характеристики схемы.
     Таблица 1- Исходные данные Вариант Эмиттер База Коллектор Примесь ТДИФ, 0С ХJe, мкм Примесь NS, см -3 Толщина, мкм Nb, см -3 3 мышьяк 1100 0,4 бор 2?10 18 0,6 1,5?10 16 Содержание Введение 5 1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии 6 1.1 Распределение примесей в базе 6 1.2 Расчет режимов базовой диффузии 6 1.3 Распределение примесей в эмиттере 8 1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии 8 2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора 13 3 Расчет основных параметров инвертора 15 Заключение 18 Список используемой литературы 19
    
    
     Реферат
    Целью данной работы является моделирование технологического процесса изготовления биполярной структуры, затем ТТЛ-инвертора на базе этой структуры. В ходе работы необходимо рассчитать основные параметры схемы.
    Пояснительная записка содержит:
    -страниц..........................................................................20;
    -рисунков..........................................................................4;
    -таблиц.............................................................................3;
    -приложений.....................................................................10.
    
     Введение
    Развитие микроэлектроники и создание новых БИС и СБИС требует новых методов автоматизированного проектирования, основой которого является математическое моделирование всех этапов разработки микросхемы.
    Необходимость внедрения гибких систем автоматизированного проектирования очевидна, поскольку проектирование микросхем сложный и длительный процесс. ............