MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Промышленность, производство -> Получение пленок из газовой фазы

Название:Получение пленок из газовой фазы
Просмотров:89
Раздел:Промышленность, производство
Ссылка:Скачать(45 KB)
Описание: БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ кафедра ЭТТ РЕФЕРАТ на тему: "ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ" МИНСК, 2008

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

кафедра ЭТТ

РЕФЕРАТ на тему:

"ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ"

МИНСК, 2008


Эпитаксия - это процесс наращивания слоев полупроводникового материала с упорядоченной кристаллической структурой на ориентированной пластине.

Выращиваемые слои могут повторять структуру пластины, например при выращивании кремния на кремнии, германия на германии. Они могут отличаться по структуре, например при выращивании кремния на сапфире, кремния на шпинели, кремния на оксиде бериллия.

Термин " эпитаксия " образован из двух греческих слов "эпи" - на, "таксис" - располагать в порядке. Впервые выращивание кристаллов из паровой фазы было предложено в 1957 г. Практическое использование этого метода началось с 1960 г.

Эпитаксию можно подразделить на три вида: авто-, гетеро - и хемоэпитаксию.

Автоэпитаксия - процесс ориентированного наращивания вещества, не отличающегося или незначительно отличающегося по химическому составу от вещества пластины. Она обеспечивает возможность формирования гомогенных (однородных) p-n-переходов и иногда называется гомоэгштаксией.

Гетероэпитаксия - процесс ориентированного наращивания вещества, отличающегося по химическому составу от вещества пластины. На границе "эпитаксиальный слой - пластина" образуется гетерогенный (неоднородный) p-n-переход. Гетероэпитаксия осуществима для элементов, не склонных к химическому взаимодействию.

Хемоэпитаксия - процесс ориентированного наращивания, при котором образование слоя происходит за счет химического взаимодействия вещества пластины с наносимым веществом. Полученный слой по химическому составу отличается как от вещества пластины, так и от наносимой фазы, но закономерно продолжает кристаллическую структуру пластины. При образовании таких слоев может быть сформирован гетеропереход или невыпрямляющий контакт.

Маркируют кремниевые эпитаксиальные структуры буквами: К - кремний; Д - дырочный; Э - электронный тип электропроводности; Б, Ф, С, М - легирующие элементы, соответственно бор, фосфор, сурьма, мышьяк.

Однослойные эпитаксиальные структуры, изготовленные на кремниевых пластинах n-типа с эпитаксиальным слоем р - типа, маркируют дробью с цифровым коэффициентом. Например:

 (1)

где 76 - диаметр пластины, мм; 8 - толщина эпитаксиального слоя, мкм; 380 - толщина пластины, мкм; 0,5 и 0,01 - удельное сопротивление эпитаксиального слоя и пластины соответственно, Ом • см.

Маркировка многослойных эпитаксиальных структур, изготовленных в процессе автоэпитаксиального наращивания слоев разных типов электропроводности аналогична маркировке однослойных структур, но содержит несколько уровней.

Эпитаксиальные структуры со скрытым слоем (ЭСС) (Рисунок 1),

Рисунок 1. Схема эпитаксиальной структуры со скрытым слоем:

1 - эпитаксиальная структура; 2 - скрытый слой; 3 – пластина

изготовленные, как правило, на кремниевых пластинах р-типа с локальными участками п - типа, которые формируют на них диффузией или ионным легированием мышьяком или сурьмой, маркируют так:

 (2)

где 76, 380 - диаметр и толщина пластины соответственно в мм и мкм; КЭФ, КЭМ, КДБ - тип электропроводности эпитаксиального, скрытого слоя и пластины соответственно; 4, 5 - толщины эпитаксиального и скрытого слоя, мкм. ............





Нет комментариев.



Оставить комментарий:

Ваше Имя:
Email:
Антибот:  
Ваш комментарий:  



Похожие работы:

Название:Моделирование динамики яркостной температуры земли методом инвариантного погружения и нейронных сетей
Просмотров:238
Описание: КУРСОВАЯ РАБОТА "МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ЯРКОСТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ЗЕМЛИ МЕТОДОМ ИНВАРИАНТНОГО ПОГРУЖЕНИЯ И НЕЙРОННЫХ СЕТЕЙ" Введение Необходимость усиления к

Название:Расчет одноконтурной автоматической системы регулирования температуры печи котельного агрегата
Просмотров:87
Описание: Федеральное агентство по рыболовству Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Астраханский государственный технический университет» «УТВЕР

Название:Інформаційно-вимірювальна система температури
Просмотров:185
Описание: Вступ Високопродуктивна, економічна і безпечна робота технологічних агрегатів промисловості вимагає застосування сучасних методів і засобів вимірювання величин. Автоматичний контроль є логічно першим сту

Название:Проектування вимірювальної системи температури
Просмотров:176
Описание: Проектування вимірювальної системи температури   ІНДИВІДУАЛЬНЕ ЗАВДАННЯ на курсовий проект з дисципліни "Інформаційно-вимірювальні системи" Розробити систему інформаційно–вимірювальну сист

Название:Основні матеріали для виготовлення часткових знімних пластинкових протезів
Просмотров:128
Описание: Основні матеріали для виготовлення часткових знімних пластинкових протезів. Склад, властивості, застосування ОСНОВНІ (КОНСТРУКЦІЙНІ) МАТЕРІАЛИ Лікар повинен правильно вибрати основні (конструкційні мат

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru