МИФИ Факультет "Ф" Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники Иванов Эдуард Валериевич ______________ Консультант Петров В.И. 1998 Введение.
    Требования к свойствам материалов по мере развития техники непрерывно растут, причём подчас необходимо получить труднореализуемые либо даже несовместимые сочетания свойств . Это и порождает многообразие материалов . Возникают новые классы сложных комбинированных материалов. Материалы становятся всё более специализированные .
    Большинство используемых в настоящее время материалов создано в результате исследований, основанных на экспериментально найденных закономерностях.
    К таким материалам, используемым в микроэлектронике относится, германий, ещё недавно не находивший применения в технике. Стал одним из важнейших материалов, обеспечивающих развитие современной техники на одной из важнейших передовых позиций - техники полупроводниковых диодов и триодов. Применение германия стало возможным, когда его удалось практически нацело очистить от примесей. В полупроводниковой технике, важнейший и пока практически единственно области применения , германий почти исключителен в виде монокристаллических слитков ультравысокой чистоты, содержание примесей в таком германии составляет только несколько миллионных долей процента. Германий является рассеянным элементом и получается в основном из отходов других производств. В последнее время одним из важнейших источников получения германия США и Англии становиться каменный уголь. Разработан ряд технологических схем получения германия из этого источника. Техника получения монокристаллов германия высокой чистоты разработана в настоящее время достаточно надежно и обеспечивает выпуск монокристаллического германия в промышленном масштабе. Ничтожное содержание примесей (порядка 10 - 10 %) резко изменяют электрические характеристики германия. Будучи намерено вводимы в очищенный германий резко изменяют электрические свойства германия в благоприятном направлении, улучшая его эксплуатационные характеристики. В связи с этим, наряду с очисткой германия, возникли важнейшие проблемы легирования германия ничтожно малым количеством примесей, контроля этих примесей, и изучения их взаимодействия между собой и с германием, изменением свойств германия в зависимости от состава и т.п. Важнейшее место в этих исследованиях должно занять изучение процессов диффузии примесей германия, вопросов изменения свойств германия в зависимости от степени совершенства монокристалла, от теплового воздействия и т.д. Получение полупроводников. Исторически так сложилось, что первоотцом микроэлектороники является кремний . В природе кремний в основном встречается в виде оксида кремния (IV) SiO2 ( песок, кварц ), а также в виде силикатов. Схема получения силикатов представлена на рисунке 1.
     Рисунок 1.
    Не менее неободим в микроэлектронике и германий. Эти два полуприводника почти в равной степени используются в микроэлектронике.
    Общим методом получения кремния и германия высокой степени чистоты является метод зонной плавки. Этот метод ( схема метода зонной плавк приведена на рисунке №2)
     Рисунок 2.
    1 - Загрязнённые кристаллы в цилиндрической трубке
    2 - Плавление кристаллов ( нагреватель - раскалённая спираль )
    3 - Трубка медленно движется относительно спирали
    4 - Вещество кристаллизуется после прохождения зоны нагревания
    5 - Примеси более растворимы в расплаве и концентрируются в расплавленной зоне
    Так же очень чистые материалы можно получить методом осаждения ионов данного металлоида на катоде в расплаве ( но этот метод по своей сути очень похож на зонную плавку ). ............