МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Факультет: Электронной техники
Кафедра: Микроэлектроники, электронных приборов и устройств
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ (РАБОТА)
"Полупроводниковые материалы"
Харьков 2007
Содержание
Введение
1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей
заряда собственных и примесных полупроводников
1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике
1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике
1.3 Температурная зависимость подвижности носителей заряда
2. Полупроводниковые материалы Si и Ge
2.1 Основные сведения о кристаллическом строении
2.2 Получение и выращивание монокристаллов
2.3 Метод Чохральского и метод зонной плавки
2.4 Основные физико-химические и электрофизические свойства
2.5 Осаждение эпитаксиальных слоев кремния
2.6 Применение в полупроводниковых приборах и ИС
3. Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны
3.1 Проводимость полупроводников
3.1.1 Преимущества и недостатки методов исследования проводимости полупроводников
3.2 Определение подвижности
3.2.1 Факторы, определяющие подвижность
3.3 Концентрация собственных носителей
Вывод
Список использованной литературы
Введение
Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов, в частности полупроводниковых. Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим успех многих инженерных решений при создании сложнейшей электронной аппаратуры. Практика постоянно предъявляет все более жестокие и разнообразные требования к свойствам и сочетанию свойств у материалов, поэтому растет их количество и номенклатура. В настоящее время число наименований материалов, применяемых в электронной технике для различных целей, составляет несколько тысяч, значительную часть которых составляют полупроводниковые материалы.
К полупроводникам относится большое количество веществ с электронной электропроводностью, удельное сопротивление которых при нормальной температуре находится между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков. Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры и освещения, приложение электрического и магнитного полей, внешнего давления и т.д.). Свойства полупроводников очень сильно зависят от содержания примесей, при введении которых изменяется не только значение проводимости, но и характер ее температурной зависимости.
Особенно бурное развитие переживает полупроводниковая электроника в последние четыре десятилетия. Массовое применение полупроводников вызвало коренное преобразование в радиотехнике, кибернетике, автоматике, телемеханике. Совершенствование полупроводниковой технологии позволило решить задачу микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры.
1 Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников
1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике
В зависимости от степени чистоты полупроводники подразделяют на собственные и примесные. ............
