MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Компьютерные науки -> Принцип действия полевого транзистора

Название:Принцип действия полевого транзистора
Просмотров:182
Раздел:Компьютерные науки
Ссылка:Скачать(10 KB)
Описание:


В последние годы большое место в электронике заняли приборы,
использующие явления в приповерхностном слое полупроводника.

Часть полного текста документа:


    В последние годы большое место в электронике заняли приборы, использующие явления в приповерхностном слое полупроводника. Основным элементом таких приборов является структура Металл-Диэллектрик-Полупроводник /МДП/. В качестве диэллектрической прослойки между металлом и полупроводником часто используют слой оксида, например диоксид кремния. Такие структуры носят название МОП-структур. Металлический электрод обычно наносят на диэллектрик вакуумным распылением. Этот электрод называется затвором.
    Если на затвор подать некоторое напряжение смещения относительно полупроводника , то у поверхности полупроводника возникает область объемного заряда, знак которой противоположен знаку заряда на затворе. В этой области концентрация носителей тока может существенно отличаться от их объемной концентрации.
    Заряжение приповерхностной области полупроводника приводит к появлению разности потенциалов между нею и объемом полупроводника и, следовательно, к искривлению энергетических зон. При отрицательном заряде на затворе, энергетические зоны изгибаются вверх, так как при перемещении электрона из объема на поверхность его энергия увеличивается. Если затвор заряжен положительно то зоны изгибаются вниз.
    Hа рисунке 1 показана зон- ная структура n-полупроводни- ка при отрицательном заряде на затворе и приведены обозначе- ния основных величин, характе- ризующих поверхность; -раз- ность потенциалов между повер- хностью и объемом полупровод- ника; - -изгиб зон у повер- хности; ................. -се- редина запрещенной зоны. Из рисунка 2 видно, что в объеме полупроводника расстояние от дна зоны проводимости до уров- ня Ферми меньше расстояния от уровня Ферми до потолка вален- тной зоны. Поэтому равновес- ная концентрация электронов больше концентрации дырок: как и должно быть у n-полупровод- ников. В поверхностном слое объемного заряда происходит искревление зон и расстояния от дна зоны проводимости до уровня Ферми по мере перемеще- ния к поверхности непрерывно увеличивается, а расстояние до уровня Ферми до потолка вален- тной зоны непрерывно уменьшается. В сечении АА эти расстояния становятся одинако- выми (..................) и полупроводник становится соб- ственным: n=p=n. Правее сече- ния АА ............. , в сед- ствии чего p>n и полупровод- ник становится полупроводни- ком р-типа. У поверхности об- разуется в этом случае повер- хностный p-n переход.
    Часто изгиб зон у поверх- ности выражают в единицах kT и обозначают Ys. Тогда ....................... .
    При формировании приповерхностной области полупроводника могут встретиться три важных случая: обеднение, инверсия и обогащение этой области носителями заряда. Эти случаи для полупроводников n- и p-типа представлены на рис. 3.
    Обедненная область появляется в том случае, когда заряд затвора по знаку совпадает со знаком основных носителей тока (рис.3 а,г). Выз- ванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике n-типа и до вершины валентной зоны в полупроводнике p-типа. Увеличение этого рас- стояния сопровождается обеднением приповерхностной области основными носителями. ............




Нет комментариев.



Оставить комментарий:

Ваше Имя:
Email:
Антибот:  
Ваш комментарий:  



Похожие работы:

Название:Влияние метилирование поверхности на устойчивость наночастиц кремния
Просмотров:211
Описание: Влияние метилирование поверхности на устойчивость наночастиц кремнияC. Б. Худайберганов, А. Б. Нормуродов, А.П. Мухтаров Интерес к наноразмерному кремнию возник в связи с открытием эффекта фотолюменесценции

Название:Полупроводниковые микросхемы. Векторная диаграмма электрической цепи. Однополупериодный выпрямитель
Просмотров:197
Описание: Контрольная работа № 2 Электротехника Вариант № 49     Задание 1   Вопрос 49. Элементы полупроводниковых схем и их соединение   Ответ Универсальным элементом моно

Название:Проектирование силовых блоков полупроводникового преобразователя
Просмотров:160
Описание: Министерство образования Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирский Государственный Индустриальный Университет Кафедра автоматиз

Название:Классификация форм земной поверхности
Просмотров:200
Описание: КЛАССИФИКАЦИЯ ФОРМ ЗЕМНОЙ ПОВЕРХНОСТИ Из всех отделов физической географии отдел о формах земной поверхности (геоморфология) является важнейшим, так как формы рельефа более, чем какие-либо другие факторы, о

Название:Струйная гидроабразивная обработка поверхностей
Просмотров:100
Описание: ОГЛАВЛЕНИЕ   Перечень условных обозначений 1. Сущность процесса струйной гидроабразивной обработки 2. Механизм процесса струйной гидроабразивной обработки 3. Область применения метода струйной гидроа

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru