Саратовский Государственный Технический Университет Кафедра "Электронные приборы и устройства" Курсовая работа На тему: "Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов" Выполнил: ст. Козачук В. М. Проверил: доц. Торопчин В. И. САРАТОВ 1999г. Оглавление. ОГЛАВЛЕНИЕ. 1 1. ВВЕДЕНИЕ 2 2. ЦЕЛЬ ЗАДАНИЯ 2 3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 2 3.1 ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ. 2 3.2 ПАРАМЕТРЫ, ВЫБРАННЫЕ САМОСТОЯТЕЛЬНО. 2 3.3 ПЕРЕЧЕНЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ 3 4. ВЫБОР ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА 5 4.1 СПЛАВНО-ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. 5 4.2 СТРУКТУРА СПЛАВНО-ДИФФУЗИОННОГО P-N-P 7 5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 8 5.1 РАСЧЁТ ТОЛЩИНЫ БАЗЫ И КОНЦЕНТРАЦИЙ ПРИМЕСЕЙ. 8 5.2 РАСЧЕТ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА 11 5.3 РАСЧЕТ ЕМКОСТЕЙ И РАЗМЕРОВ ПЕРЕХОДОВ 11 5.4 РАСЧЕТ СОПРОТИВЛЕНИЙ ЭС И ГРАНИЧНЫХ ЧАСТОТ 12 5.5 РАСЧЕТ ОБРАТНЫХ ТОКОВ КОЛЛЕКТОРА 14 5.6 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРЕДЕЛЬНОГО РЕЖИМА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ ЭЛЕМЕНТОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ 15 5.7 РАСЧЁТ ЭКСПЛУТАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ 15 6. ВЫБОР КОРПУСА ТРАНЗИСТОРА 16 7. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ 18 8. ВЫВОДЫ: 18 9. СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 20 1. Введение
    Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности. 2. Цель задания
    Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот.
    Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов. 3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ 3.1 Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры: 1. Номинальный ток коллектора Iк ном=9мА. 2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном=13В 3. Верхняя граничная частота fa=90МГц 4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах=60мВт 5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах=18В 6. Максимальный ток коллектора Iк мах=12мА 7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах=74°С 8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ?=65 3.2 Параметры, выбранные самостоятельно. 1. Время жизни ННЗ ?ср=5мкс 2. Материал кристалла Ge 3. Тип структуры p-n-p 4. Ёмкость коллекторного перехода Ск=2пФ 5. Коофициент запаса по частоте F Х1=1,3 6. ............