Закон Мура в действии
    Вычислительная мощность компьютеров растет с поразительно высокой и удивительно постоянной скоростью. Новые технологии обеспечат устойчивость этой тенденции и в будущем.
    В 1965 г соучредитель фирмы Intel Гордон Мур предсказал, что плотность транзисторов в интегральных схемах будет удваиваться каждый год Позднее его прогноз, названный законом Мура, был скорректирован на 18 месяцев. В течение трех последних десятилетий закон Мура выполнялся с замечательной точностью. Не только плотность транзисторов, но и производительность микропроцессоров удваивается каждые полтора года
    Энди Гроув, бывший главный управляющий и председатель правления Intel, предсказал на осенней конференции Comdex'96, что к 2011 г компания выпустит микропроцессор с 1 млрд. транзисторов и тактовой частотой 10 ГГц, изготовленный по 0,07-мкм полупроводниковой технологии и способный выполнять 100 млрд. операций в секунду
    Основатель и главный редактор журнала Microprocessor Report Майкл Слейтер полагает, что в будущем при внесении серьезных изменений в конструкцию процессора или смене технологии на более совершенную для удвоения числа транзисторов потребуется более 18 месяцев. Это будет вызвано как усложнением логики микросхем, что приведет к увеличению времени проектирования и отладки, так и необходимостью преодолевать все более серьезные технологические барьеры при изготовлении ИС. 1. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА
    При каждом переходе к технологии нового поколения, например от 0,25- к 0,18-мкм, необходимо совершенствовать многие операции, используемые при изготовлении микросхем. Особую важность имеет фотолитографический процесс, в котором свет с малой длиной волны фокусируется с помощью набора прецизионных линз и проходит через фотошаблоны, соответствующие рисунку схемы. Происходит экспонирование фоторезиста, нанесенного на поверхность пластины после проявки, травления и химического удаления маски на пластине формируются микроскопические детали схемы
    По словам Марка Бора, директора Intel по производственным технологиям, соответственно должны совершенствоваться источники света и оптика В конце 1999 г фирма Intel выпустит процессоры Pentium III по 0,18-мкм технологии с использованием 248-нм источника света в глубокой УФ - области спектра, как при производстве современных 0,25-мкм кристаллов Pentium II и Pentium III. Но через три-четыре года при переходе к 0,13-мкм процессу предполагается использовать излучение с длиной волны 193 нм от эксимерного лазера
    По мнению Бора, вслед за 0,13-мкм может последовать 0,09-мкм процесс, в котором будут использованы эксимерные лазеры с длиной волны 157 нм Следующий шаг после порога 0,09 мкм будет связан с преодолением серьезного технологического и производственного барьера освоением 0,07-мкм технологии для обещанного Гроувом процессора 2011 г. На этом уровне для фотолитографического процесса, по всей вероятности, потребуется излучение от источников, работающих в чрезвычайно дальней области УФ-спектра Длина волны составит всего 13 нм, что в перспективе может обеспечить формирование значительно более миниатюрных транзисторов, трудность же заключается в том, что в настоящее время нет материалов для изготовления фотошаблона, пропускающего свет с такой малой длиной волны Для решения проблемы потребуются совершенно новые процессы отражательной литографии и оптика, пригодная для работы в дальней области УФ - диапазона
    По мере увеличения числа транзисторов, соединительные проводники между
    транзисторами становятся тоньше и располагаются ближе друг к другу, их сопротивление и взаимная емкость растут, из-за чего увеличиваются задержки при распространении сигналов Чтобы уменьшить сопротивление и сократить ширину соединительных проводников в узких местах, для напыления проводников вместо алюминия станет применяться медь, что уже происходит с кристаллами PowerPC G3 фирмы IBM. ............