Вступ. 2
Розділ 1. Електрофізичні властивості напівпровідників. 3
1.1 Власні й домішкові напівпровідники. 3
1.2. Енергетичні діаграми напівпровідників. 6
1.3 Силові діоди. 11
Розділ 2. Загальні відомості про напівпровідникові розмикачі струму. 13
Розділ 3. Основні типи напівпровідникових розмикачів струму. 18
3.1. Дрейфовий діод з різким відновленням. 18
3.2. SOS-діоди. 25
3.3. Розмикачі струму на основі карбіду кремнію. 30
Розділ 4. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів. 32
Висновок. 35
Список використаної літератури. 41
Вступ Для проведення досліджень в експериментальній фізиці широко використовують імпульсні джерела живлення для потужніх лазерів, прискорювачів заряджених частинок, рентгенівських апаратів. Але для створення таких імпульсних джерел живлення потрібно мати потужні перемикаючі пристрої, які б перемикали, із достатньо високою швидкістю джерела живлення із режиму накопичення енергії в режими розряду та навпаки. Такі перемикаючі пристрої повинні витримувати напруги порядку 103 - 106 В та струми густиною 102 - 105 А/см2 та мати можливість генерувати імпульси із частотою 104 Гц і вище. Таким параметрам відповідають певні типи напівпровідникових діодів.
У роботі розглянуто напівпровідникові діодні перемикачі струму для потужньої наносекундної імпульсної техніки. Особливу увагу приділено дрейфовим діодам із різким відновленням ДДРВ та SOS – діодам. Перший тип діодів був запропонований і розроблений у Фізико-технічному інституті ім. А. Ф. Іоффе РАН, другий в Інституті електрофізики УрВ РАН. За допомогою ДДРВ вдається перемикати потужність до сотень мегаватів за наносекунду при щільності струму порядку 102 А/см2. SOS – діоди дозволяють перемикати потужності в кілька гігават за такі ж короткі часи при щільності струму більше 103 А/см2. Ще одною позитивною рисою таких напівпровідникових пристроїв є їх великий строк роботи.
Розробка генераторів потужних наносекундних імпульсів та напівпровідникових перемикачів струму сприятиме розвитку робіт з релятивістської надвисокочастотної електроніки, широкополосної радіолокації, систем живлення лазерів, прискорювачів електронів.
Розділ 1. Електрофізичні властивості напівпровідників Напівпровідниками є речовини, що займають по величині питомої провідності проміжне положення між провідниками й діелектриками [1,2,3]. Ці речовини володіють як властивостями провідника, так і властивостями діелектрика. Разом з тим вони володіють рядом специфічних властивостей, що різко відрізняють їх від провідників і діелектриків, основним з яких є сильна залежність питомої провідності від впливу зовнішніх факторів (температури, світла, електричного поля і т. п.). До напівпровідників відносяться елементи четвертої групи періодичної таблиці Д. І. Менделєєва, а також хімічні сполуки елементів третьої й п'ятої груп типу AIII BV (GaAs, InSb) і другої й шостої груп типу AII B VI (Cd, B, CdFe). Провідне місце серед напівпровідникових матеріалів, які використовуються у напівпровідниковій електроніці, займають кремній, германій й арсенід галію GaAs. Хоча у наш час у наукових установах ведеться пошук нових напівпровідникових матеріалів, розробляються органічні напівпровідники.
1.1 Власні й домішкові напівпровідники
Власними напівпровідниками або напівпровідниками типу i (від англійського intrinsic - власний) називаються чисті напівпровідники, що не містять домішок. ............
