МIНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
    Радіофізичний факультет
    Кафедра радіоелектроніки К У Р С О В А Р О Б О Т А з курсу: "Основи фізики твердого тіла" на тему: "Ефект Ганна" Виконав: студент гр. РЕ-01-1 О. Л. Бузмаков "___"___________ 2004 p.
     Перевірив: ст.викладач
     Б.О. Полежаєв "___"___________ 2004 p. Дніпропетровськ 2004 Зміст стр. 1. Реферат ............................................................................... 3 2. Вступ .................................................................................. 4 3. Ефект Ганна .......................................................................... 5 4. Діод Ганна, генератори Ганна ..................................................14 5. Висновок ............................................................................ 20 6. Список використаної літератури ...............................................21 1. Реферат Дана робота містить 21 сторінку та складається з 6 розділів: вступу, рефератної частини, теоретичної сторони ефекту Ганна, практичної сторони - діодів та генераторів Ганна, висновку та списку використаної літератури. Також має 14 ілюстрацій (10 рисунків: 4 ескпериментальних графіки, 3 зображення реальних діодів, 7 схематичних зображення) і 10 розрахункових формул.
    Діоди Ганна, генератори Ганна, N - подібна ВАХ, негативний опір, арсенид галію, фосфит індію, домен, Дж. Ганн, зонна енергетична структура з двома мінімумами, пікова характеристика I=I(t). 2. Вступ У даній роботі розглядаються процеси, що проходять у однорідних напівпровідниках електронного типу провідності при сильних електричних полях. Цей ефект спостерігається в арсеніді галія, фосфиту індію та інших напівпровідниках, де існує два мінімума в енергетичній структурі кристалу. Виникнення негативної частини графіку ВАХ відбувається у результаті різних значень рухливості електронів у двох мнімумах цих матеріалів. На основі цього явища можна конструювати генератори, які можуть працювати на високих частотах від 1 до 50 ГГц, при цьому частота визначається довжиною кристалу. У зв'язку з підвищенною увагою до спектру надвисоких частот електромагнітних хвиль в останні роки, можна сказати, що вивчення цих явищ є досить актуальним. 3. Ефект Ганна
    Виникнення негативної диференційної провідності в однорідних напівпровідниках під дією сильного електричного поля.
    У сильних електричних полях рухливість носіїв заряду починає залежати від напруженості прикладеного поля: µ = µ(?). Внаслідок цього статична провідність напівпровідника ?0 = enµ, що входить у дифиринційний закон Ома (i = enµ? = ?0?), зберігаючись позитивною, може істотно змінити своє значення із зміною напруженості поля. Залежно від характеру цієї зміни, диференціальна провідність напівпровідника може виявитися як величиною позитивною, так і негативною. Перший випадок реалізується тоді, коли із ростом напруженості поля ? рухливість носіїв µ збільшується, так що або зменшується настільки слабко, що хоча , але абсолютне значення , внаслідок чого вираз , зберігає позитивний знак. Другий випадок реалізується тоді, коли з ростом ? рухливість носіїв заряду µ падає, причому настільки різко, виконується не тільки умова , але й . Тоді вираз , стає негативним, що й приводить до значення меншим за нуль.
    У напівпровідниках, зона провідності яких має більше одного мінімуму енергії, електрон з хвильовим вектором k, що відповідає одному з мінімумів, при розсіюванні може виявитися у стані із хвильовим вектором k', що належить іншому мінімуму. ............