MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Промышленность, производство -> Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов

Название:Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов
Просмотров:69
Раздел:Промышленность, производство
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Реферат «Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов» Содержание Введение 1. Физические особенности процесса ионного легирования 2. Анализ влия

Часть полного текста документа:

Реферат

«Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов»


Содержание

Введение

1. Физические особенности процесса ионного легирования

2. Анализ влияния технологических параметров на процесс ионной имплантации

2.1 Распределение внедренных примесных атомов

2.2 Радиационные дефекты

2.3 Отжиг радиационных дефектов

3. Схема устройства для ионной имплантации

4. Возможности математического моделирования процесса ионной имплантации

4.1 Методы моделирования

Список используемой литературы


Введение

Легирование полупроводника примесями проводится с целью создания различных приборных структур за счет изменения его электрофизических свойств: типа электропроводности, удельного сопротивления и других характеристик.

Реализованные и потенциальные преимущества ионного легирования позволяют: осуществлять процесс с высокой производительностью; создавать практически любые профили распределения за счет ступенчатого легирования; совмещать процесс легирования с другими технологическими процессами поверхностей обработки кристалла; получать прецизионное формирование профиля полупроводниковых структур. С другой стороны, ионное легирование имеет недостатки и ограничения. Есть определенные трудности в проведении процесса легирования, связанные с нарушениями, созданными ионной бомбардировкой, и окончательным местоположением внедренных ионов. Как правило, необходимо устранить эти нарушения в виде смещенных из узлов кристаллической решетки атомов полупроводниковой мишени и в то же время сделать внедренные атомы примеси электрически активными. Обычно это достигается частичным или полным отжигом. К другим ограничениям следует отнести трудность создания и воспроизведения глубоких легированных областей, сложность обработки больших полупроводниковых пластин из-за расфокусировки при существенных отклонениях ионных пучков.

Большое число регулирующих параметров процесса ионного легирования (доза, тип, энергия ионов, температура и среда отжига и др.) позволяют в широких пределах изменять свойства легированных слоев, но наряду с этим требуют глубокого физического понимания процессов внедрения ионов, их поведения в кристаллической решетке, кинетики образования и устранения радиационных дефектов, что необходимо для высококачественного технологического моделирования в конечном итоге эффективной реализации приборных структур и схем в интегральном исполнении. [5]


1. Физические особенности процесса ионного легирования

Процесс ионного легирования полупроводника включает две основных операции: собственно внедрение (имплантацию) ионов примеси и отжиг радиационных дефектов.

Ионная имплантация – процесс внедрения в твердотельную подложку ионизированных атомов с энергией достаточной для проникновения их в приповерхностные области подложки (от кило- до мегаэлектронвольт).

Наиболее общим применением ионной имплантации является процесс ионного легирования материалов, так как технология ионной имплантации позволяет с высокой точностью управлять количеством легирующей примеси. Ионная имплантация характеризуется универсальностью и гибкостью процесса, что позволяет получать необходимые концентрации примеси в случаях, когда другие методы неприемлемы (легирование бором и фосфором в алмазах). ............







Похожие работы:

Название:Последние наблюдения процессов образования планет в нашей галактике
Просмотров:745
Описание: , заставляют по новому взглянуть на теорию образования солнечной системы Ранее обнаруженные объекты формирующихся звезд и планетных систем в разных районах нашей Галактики, вносят массу загадок того, насколько сл

Название:Биофизика клетки и мембранных процессов
Просмотров:875
Описание: А.Б.Рубин, О.Р.Кольс, Т.Е.Кренделева и др. Разнообразие живых систем во многом определяется многообразием структуры и функции клеточных мембран. Они не только формируют клетку и внутриклеточные структуры, отделяют

Название:Биофизика фотобиологических процессов
Просмотров:888
Описание: А.Б.Рубин, О.Р.Кольс, Т.Е.Кренделева и др. Одной из важнейших фундаментальных проблем биофизики является расшифровка механизмов первичных процессов действия света на разные биологические системы. Свет является о

Название:Описание процесса соотнесения пропагандистских и рекламных коммуникаций в сети Интернет
Просмотров:677
Описание: Булавко Елена Если ваша фирма планирует продвижение нового товара или услуги на рынок, попробуйте воспользоваться возможностями сети Internet. (Предварительно оцените свою целевую аудиторию. Если на 80 - 90% она состои

Название:Модели технологических процессов взаимодействия службы занятости с безработными и ищущими работу гражданами
Просмотров:733
Описание: Задание № 1 Проанализируйте таблицу, сделайте выводы. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЧИСЛЕННОСТИ БЕЗРАБОТНЫХ ПО ВОЗРАСТНЫМ ГРУППАМ И УРОВНЮ ОБРАЗОВАНИЯ в 2008 г. (на конец ноября; в процентах к итогу) Проанализировав таблицу,

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru