МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД

КУРСОВА РОБОТА

Методи приєднання виводів в ІС

ЗМІСТ

 

ВСТУП

РОЗДІЛ 1. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ЗВАРЮВАННЯ

1.1 Термокомпресорне зварювання

1.2 Конденсаторна зварка електроконтактів

1.3 Зварювання тиском з непрямим імпульсним нагрівом

1.4 Контактне зварювання

1.5 Ультразвукове зварювання

РОЗДІЛ 2. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ПАЙКИ ТА СКЛЕЮВАННЯ

2.1 Приєднання виводів паянням

2.2.Холодне паяння

2.3 Електричні з'єднання за допомогою склеювання

ВИСНОВКИ

ЛІТЕРАТУРА

ВСТУП

Однією з найважливіших операцій завершальної стадії технологічного циклу виготовлення напівпровідникових приладів та інтегральних схем (ІС) є приєднання виводів до готових структур. Монтажні операції, пов'язані з приєднанням виводів, здійснюються, по-перше, для створення внутрішньосхемних з'єднань при монтажі кристалів на підкладках гібридних плівкових мікросхем і мікроскладок (контактний майданчик кристала при цьому з'єднується з контактним майданчиком підкладки за допомогою перемички або безпосередньо); по-друге, для комутації контактних майданчиків кристала ІМС або периферійних контактів гібридних мікросхем і мікроскладок із зовнішніми виводами корпусу [1].

При виробництві планарних напівпровідникових приладів для під’єднання ширших виводів до контактних площадок, де використовується пайка спеціальними низькотемпературними припоями та сплавами, а також різні види зварювання найбільше розповсюджені у виробництві напівпровідникових та оптоелектронних приладів одержали термокомпресорні, ультразвукові методи під’єднання гнучких виводів.

Розвиток мікроелектроніки потребує розробки принципово нових методів виконання з’єднань в результаті різкого зменшення геометричних розмірів елементів мікросхем і напівпровідникових оптоелектронних приладів. Товщина напівпровідників, які застосовуються для монтажу в мікроелектроніці, складає десятки і сотні мікрон, а товщина активних областей приладів часто становить 0.1 - 10 мкм [2].

Мета роботи: описати найпоширеніші методи зварювання та пайки для виготовлення виводів інтегральних схем.

1. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ЗВАРЮВАННЯ

 

1.1 Термокомпресорне зварювання

 

Внутрішній монтаж ІС включає операції по установці, закріпленню ІС в корпусі і виконанню внутрішніх електричних з'єднань. Внутрішні з'єднання контактних майданчиків здійснюються з виводами навісних елементів (у гібридних ІС) і з тонкими перехідними виводами, що йдуть до зовнішніх виводів, що виходять з корпусу (рис. 1.1, а).

Для внутрішніх з'єднань характерний зразкове стократне співвідношення товщини металевих тіл, що сполучаються: тяганина діаметром 50 мкм і плівки товщиною 0,5 мкм (рис. 1.1, б). Контактний майданчик розташований на ізоляційній або напівпровідниковій підкладці. Майдан контактного майданчика складає долі мм2. Для виконання таких з'єднань найбільш поширена термокомпресорне зварювання.

Рис. 1.1 Мікросхема всередині корпусу (а) і схематичне зображення контактного перехідного вузла (б): 1 – зовнішній вивід; 2 – внутрішній вивід (перемичка); 3 – контактний майданчик; 4 – ізолятор; 5 – основа корпусу [3].

Назва термокомпресорне зварювання, запропонованої в 1957 р., точно передає її суть: зварка тиском та з підігріванням. ............