Кафедра КПРАКурсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники”
На тему: ”Фильтр верхних частот”
Рязань 2008
Содержание:
Исходные данные
Введение
Анализ технического задания
Разработка топологии
Резисторы
Резисторы типа “квадрат”
Конденсаторы
Расчет площади платы
Заключение
Список литературы
Исходные данные
Фильтр верхних частот. Схема электрическая принципиальная №52
Номиналы
R1 – Резистор 10.0 kОМ 1шт; C1, C2 – Конденсатор 10000 пФ 2шт
R2, R3, R6, R7 – Резистор 12.0 kОМ 4шт; С3, С4 – Конденсатор 2.2 мкФ 2шт
R4 – Резистор 3.6 kОМ 1шт;
R5 – Резистор 1.2 kОМ 1шт;
R8 – Резистор 0.2 kОМ 1шт; V1…V4 – Транзистор КТ324В 4шт (СБО.336.031 ТУ)
Плату следует изготовить методом фотолитографии.
Эксплуатационные требования: Тр = -450 +400С, tэ = 4000 ч.
Введение
Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.
В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.
Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.
Анализ технического задания
В данном курсовом проекте нужно разработать микросборку фотолитографическим способом.
Фотолитографический технологический процесс основан на термовакуумном, ионно-плазменном, катодном, магнетронном напылении нескольких сплошных слоёв из различных материалов с последующим получением конфигурации каждого слоя методом фотолитографии.
Достоинства: высокая точность изготовления и плотность размещения элементов на подложке.
Недостатки: метод фотолитографии нельзя применять для создания многослойных конструкций тонкоплёночных интегральных микросхем, т.к. каждый раз при получении рисунка очередного слоя требуется обработка подложки травильным раствором, что негативно сказывается на других слоях с возможным изменением их электрофизических свойств. После очередной фотохимической обработки требуется тщательная очистка подложки от реактивов, для обеспечения необходимой адгезии последующих осаждаемых слоёв; таким методом можно выполнить рисунок не более чем двух слоёв различной конфигурации т.е. невозможно изготовить тонкоплёночный конденсатор (кроме танталового) и осуществить пересечение проводников.
Типовая последовательность формирования плёночных элементов при фотолитографическом методе (порядок вакуумного осаждения):
вариант 1
1. осаждение резистивной плёнки;
2. осаждения проводящей плёнки на резистивную;
3. фотолитография и травление проводящего слоя;
4. фотолитография и травление резистивного слоя;
5. нанесение плёнки межслойной изоляции;
6. осаждение проводящей плёнки;
7. фотолитография и травление проводящего слоя;
8. осаждение защитного слоя.
вариант 2
1. нанесение маскирующего слоя;
2. фотолитография конфигурации резисторов;
3. напыление материала резистивной плёнки;
4. удаление маскирующего слоя;
5. напыление проводящей плёнки;
6. фотолитография проводящего слоя;
7. нанесение материала защитного слоя.
При изготовление гибридных микросхем прибегают, как правило, к корпусной защите. ............
