MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Коммуникации и связь -> Низкочастотный усилитель напряжения

Название:Низкочастотный усилитель напряжения
Просмотров:67
Раздел:Коммуникации и связь
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты Амплитуда входного сигнала                                      1 мВ Сопротивление генератора входного сигнала            5 кОм Амплитуда выходно

Часть полного текста документа:

Расчет элементов усилителя напряжения низкой частоты

Амплитуда входного сигнала                                      1 мВ

Сопротивление генератора входного сигнала            5 кОм

Амплитуда выходного сигнала                                             5 В

Сопротивление нагрузки                                             3 кОм

Нижняя граница усиления                                           50 Гц

Верхняя граница усиления                                          15000 Гц

Коэффициент частотных искажений                            1,4

Напряжение питания                                          15¸20 В

Коэффициент усиления:

Получить такой коэффициент усиления на одном каскаде невозможно, поэтому необходимый усилитель реализуем последовательным включением усилительных каскадов на основе транзисторов p-n-p структуры, включенных по схеме с ОЭ. При этом перераспределение усиления будет следующим: 1 каскад – 100, 2 каскад – 50.

Выбор транзистора КТ3107Е

Наименование Обозначение Значение Min. Max. Статический коэф. передачи тока 120 220 Граничная частота коэффициента передачи тока

 

200 Мгц

Напряжение насыщения база – эмиттер

0.8 В 1 В

Напряжение насыщения база – эмиттер

0.2 В 0.8 В

Емкость коллекторного перехода, при Uкб=10 В

7 пФ

 

Максимально допустимые параметры

Наименование Обозначение Значение Постоянное напряжение коллектор – база

Uкб max

25 В Постоянное напряжение коллектор – эмиттер

Uкэ max

20 В Постоянный ток коллектора Iк max 100 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pк max 300 мВт


Выберем напряжение питания усилителя: .

 

Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (2-й каскад).

Из графика семейства характеристик (см. рис. 2) выберем рабочую точку:

Т.к. R9 – (сопротивление нагрузки) равен 3 кОм, то R7 определяется формулой:


R7=7.5 кОм

Находим ток коллектора 2-го транзистора:

IК=0.93 mA

Находим ток базы 2-го транзистора:

 

IБ=7.75*10-3 mA

 

Находим ток эмиттера 2-го транзистора:

 

IЭ=0.938 mA

Зададим UЭ=1V

R8=1.07 кОм. Находим напряжение базы 2-го транзистора:


Uб=1.7 V

Найдем ток через RБ

I=38.75*10-3 mA

R6=43.9 кОм

R5=343.7 кОм

 

Расчет усилительного каскада на транзисторе структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ по постоянному току (1-й каскад).

Найдем Rн (нагрузки)

 

RН=38.9 кОм

 


Отсюда найдем R3

R3=13.46 кОм

Выберем рабочую точку .

Находим ток колектора 1-го транзистора:

 

IК=0.52 mA

Находим ток базы 1-го транзистора:

 

IК=4.3*10-3 mA

Находим ток эмиттера 2-го транзистора:

 

 

IЭ=0.524 mA

Зададим UЭ=1V

 

R3=1.91 кОм

Находим напряжение базы 2-го транзистора:


Uб=1.7 V

Найдем ток через RБ

 

I=21.5*10-3 mA

 

R2=79.1 кОм

 

 

R1=325.6 кОм

Расчет емкостей

Коэффициент передачи 1-й цепочки:

 

Отсюда С1

 

С1=19.5 нФ

 


С2=31.9 нФ

 

С3=12.4 мкФ

 

 

С4=0.4 мкФ

 

С5=12.4 nF

 

 


Литература

 

1.  Ю.С. Забродин «Промышленная электроника», М.: изд-во Высшая школа, 1982 г.

2.  В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев «Электроника», М.: изд-во Высшая школа, 1991 г.

3.  Справочник «Транзисторы для аппаратуры широкого применения», под ред. ............







Похожие работы:

Название:Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
Просмотров:376
Описание: ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факуль

Название:Работа коллекторских организаций
Просмотров:271
Описание: Коллекторство коллекторский организация банк должник Коллекторство как отдельный сегмент финансовых услуг возник в США 40 лет тому назад, в Европе окончательно сформировался в 80-е годы прошлого века. В июле 2006

Название:Исследование биполярного транзистора МП-40А
Просмотров:333
Описание: Задание для РГЗ 1.      Выписать из справочника параметры транзистора МП – 40А. Нарисовать чертёж выводов транзистора. 2.      Зарисовать входную и выходную характеристики транзистора. 3.      Нарисовать сх

Название:ГЗЗ із транзисторами у ключовому режимі
Просмотров:330
Описание: ГЗЗ із транзисторами у ключовому режимі Генераторні транзистори в сучасних передавачах працюють, як правило, з повним використанням за потужністю, особливо у вихідних каскадах

Название:Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Просмотров:295
Описание: Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана Калужский филиал Пояснительная записка к курсовой работе по курсу «Физика полупроводниковых приборов» на тему: «И

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru