Задание на курсовое проектирование
Тема: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя
Срок представления проекта к защите –
Исходные данные для проектирования
Схема электрическая принципиальная, таблица электрических параметров элементов усилителя
Содержание пояснительной записки курсового проекта:
Выбор физической структуры полупроводниковой ИМС на БП-транзисторах
Расчёт геометрических размеров элементов ИМС
Разработка эскиза топологии ИМС широкополосного усилителя
Перечень графического материала:
Эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя
Руководитель проекта _________________________
Задание принял к исполнению ________________________
Реферат
Пояснительная записка содержит 30 страниц, 3 рисунка, 4 использованных источников, 1 приложение.
Перчень ключевых слов: принципиальная схема, широкополосный усилитель, расчет геометрических размеров, эскиз топологии.
Объект разработки: топология ИМС широкополосного усилителя.
Цель работы: расчет геометрических размеров элементов схемы усилителя, конструирование эскиза топологии.
Методы разработки: конструирование эскиза топологии с помощью пакета программ AutoCAD.
Полученные результаты: библиотека элементов усилителя, эскиз топологии в формате AutoCAD.
Степень внедрения: не внедрено.
Область применения: не применяется.
Основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики: количество слоев в кристалле – 6, количество элементов в принципиальной схеме –20 элементов, из них: 9 n-p-n транзистора, 9 резисторов.
Содержание
Введение
1. Общие принципы построения топологии биполярных ИМС
1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС
2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС
2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов
2.2 Расчет геометрических размеров резисторов
3 Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя
3.1 Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора
3.2 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора
4 Основные правила проектирования топологии ИМС
4.1 Проектирование топологии ИМС
Заключение
Список использованных источников
Приложение А. Эскиз топологии широкополосного усилителя
Введение
Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и ответственной операцией при проектировании любой ИМС.
В практике проектирования топологии существует много подходов. К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования:
получение исходных данных;
расчет геометрических размеров активных и пассивных элементов;
разработка эскиза топологии;
разработка предварительных вариантов топологии;
выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация.
Целью данного курсового проекта является расчет геометрических размеров элементов ИМС широкополосного усилителя, проектирование топологии данной схемы. ............
