Федеральное агентство по образованию
Пензенский государственный педагогический университет имени В.Г. Белинского
Физико-математический факультет
Кафедра общей физики
Курсовая работа
Полупроводниковые наноструктуры
Пенза 2008
Содержание
Введение.
Глава 1. Квантовые ямы
1.1 Технология изготовления квантовых ям
1.2 Особенности энергитических уровней
1.3 Применение квантовых наноструктур в электронике
Глава 2. Квантовые проволоки, нити
2.1 Квантовая проволока
2.2 Особенности квантовых проволок
2.3 Квантовые нити. Изготовление квантовых нитей
Глава 3. Квантовые точки
3.1 Технология изготовления квантовых точек
3.2 Особенности квантовых точек
Глава 4. Сверхрешётки
4.1 Сверхрешётки. Виды сверхрешеток
4.2 Физические свойства сверхрешеток
4.3 Технология изготовления сверхрешеток
4.4 Энергетическая структура полупроводниковых сверхрешеток
4.5 Исследование полупроводниковых сверхрешеток
4.6 Применение сверхрешеток в электронике
Заключение
Список литературы
Введение
В первой половине 50-х годов XX в перед Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова Жореса Ивановича были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
В 1993-1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
Глава 1. Квантовые ямы
1.1 Технология изготовления квантовых ям
Простейшая квантовая структура, в которой движение электрона ограничено в одном направлении, – это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводника. Именно на тонких пленках полуметалла висмута и полупроводника InSb впервые наблюдались эффекты размерного квантования [2]. В настоящее время квантовые структуры изготавливают иначе. Рассмотрим структуру энергетического спектра полупроводников. ............
