Приборы полупроводниковые

Термины и определения

ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)

Физические элементы полупроводниковых приборов

Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или  разными  значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).

Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника,  одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.

Электронно-электронный переход (n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический  переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Дырочно-дырочный переход (p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения  концентрации  примеси  значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход,  в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.

Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход,  у которого  линейные размеры,  определяющие его площадь, значительно больше толщины.

Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) – электрический  переход,  полученный  в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.

Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный переход,  образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое,  нанесенном на поверхность полупроводника.

Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) – электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника,  вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.

Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический переход,  образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава,  содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) – сплавной переход,  образованный в результате вплавления  на  малую  глубину  слоя  металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.

Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий переход,  образованный при выращивании полупроводника из расплава.

Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junction) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. ............