Схемотехника 1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1. ТТЛ Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором. ЛЭ ТТЛ с простым инвертором Достоинства 1. Простота технической реализации (на одном кристалле). 2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие. Недостатки 1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ) 2. Малый Kраз (Kраз - число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ) Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз. Схема с открытым коллектором. Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором. Рис.1 Для реализации операции y=x1x2 Рис.2 Рис.3 База-коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует. Достоинства 1. Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2). 2. МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2 Условия 1. Положительная логика 2. 3. 1 случай x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ? "1" МЭТ выполняет следующие функции: 1. Операция "И" 2. Усиление сигнала. 3. VD1, VD2. 4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ. VD1 ? (база-эмиттер VT1)х1, VD2 ? (база-эмиттер VT1)х2. Диод смещения VD3 ? база-коллектор VT1 Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ==> режим активный инверсный Uк-э МЭТ ? 0,1 В Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о - Uк-эVT1 ? 1,5 В VT2, R2 реализуют "НЕ". Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (? 5..40 Ом) ==> Uy = U0 ? 0,2В 2 случай Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В (Up - Un)VT1 x1 = UИП - Ux1 =5 - 0,2 = 4,8В Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется VT2 закрыт. МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный. ЛЭ ТТЛ-типа серии К155 1. Краз мало в ТТЛ с простым инвертором 2. Rвых ? Rк VT Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором. Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором. Состав схемы 1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор . 2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5). 3. Демпфирующий диод VD3. Сложный инвертор включает в себя: 1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4. 2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5). a) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП). b) Инвертор на VT4. Назначение VD1, VD2. Это так называемые демпфирующие диоды - для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналови при UИП = +5В. 1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L. 2. Наводки (наведённые статические помехи). Первые создает колебательный контур (к/к) Рис. 5 В момент окончания сигнала (Ua - Uk)VD1,2 = 0 - (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В ==> VD1 открыт и ==> RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости. МЭТ VT1, R1 предназначены для реализации операции "И". Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ 1. ............