Міністерство освіти і науки України

Дрогобицький державний педагогічний університет

імені Івана Франка

Індивідуальне завдання на тему:

Технологія різки монокристалічних злитків

Виконав

студент групи ФІ-54

Коваль Олег

Дрогобич 2010

У способі різання монокристалів кремнію пропонується подавати в зону різання МОР симетрично відносно точки дотику монокристала кромкою відрізного круга в напрямку під кутом, рівним 70 -80 °, до дотичної в точці дотику струменя МОР з кромкою кола з джерел МОР з діаметром вихідного отвору d = 1 , 5 - 3 мм, розташованих на відстані (2,5 - 4) d від точки дотику струменя з крайкою і на відстані (1,1 - 1,4) D від осі джерел МОР до точки дотику монокристалів кромкою кола на початку різання, де D - діаметр монокристала. Витрати МОР приймають рівною кількості рідини, що транспортується в одиницю часу в межзеренного просторі ріжучої кромки кола:

де Q - витрата МОР, м3/хв; b - ширина ріжучої кромки відрізного круга, м; xЗ - середньовірогідний розмір зерен кола, м; n - частота обертання відрізного круга, м; hкрЗ - критична глибина закладення зерен у зв'язку кола, м; NS - число зерен на поверхні кола, шт/м1; N1 - кількість зерен в одиниці об'єму алмазного шару відрізного кола, шт/м3.

Відомий спосіб різання напівпровідникових злитків на пластини (Черняєв В. М. Технологія виробництва інтегральних мікросхем і мікропроцесорів: Підручник для вузів. - М.: Радіо і зв'язок, 1987. - С. 59-64), в якому злиток перед розрізанням орієнтують, закріплюють на верстаті і розрізають на пластини обертовим відрізним кругом, подаючи в процесі різання мастильно-охолоджуючу рідину (МОР) до зони обробки. До причин, що перешкоджає досягненню зазначеного нижче технічного результату при використанні відомого способу, відноситься те, що у відомому способі не регламентується витрата МОР, що негативно позначається на якості відрізуваних пластин. Найбільш близьким способом того ж призначення до стосується винаходу за сукупністю ознак є спосіб різання монокристалів кремнію (Технологія напівпровідникових приладів і виробів мікроелектроніки. У 10 кн.: Учеб. Посібник для ПТУ. Кн. 4. Механічна та хімічна обробка / С. М. Никифорова - Денісова. - М.: Вищ. шк., 1989. - С. 12-22), в якому здійснюється приклейка монокристалу до оснащення, установка його на відрізні верстати і розрізування монокристала на пластини алмазним кругом з внутрішньої ріжучої крайкою при подачі СОЖ в зону обробки, прийнятий за прототип.

До причин, що перешкоджають досягненню зазначеного нижче технічного результату при використанні відомого способу, прийнятого за прототип, відноситься те, що у відомому способі не регламентуються місце розташування джерела МОР по відношенню до розрізаючого зливка і ріжучої кромки відрізного кола, напрямок струменя СОЖ і діаметр вихідного отвору джерела, з якого вона витікає, а вибір витрати МОР відбувається без урахування характеристик відрізного кола (геометричних параметрів, зернистості і т.п.) і елементів режиму різання, що не дозволяє досягти високої якості відрізаних пластин. Сутність винаходу полягає в наступному. Спостерігається останнім часом тенденція до зменшення розмірів елементів топології, що формуються на кремнієвих пластинах, призводить до посилення вимог, що пред'являються до пластин, отриманих на операції розрізання. ............