Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Тульский государственный университет

Кафедра радиоэлектроники

Устройства функциональной электроники

Выполнила: Жуковская М.А.

гр. 151371

Проверил: Миронов М.М.

2011 г.

Содержание

Глава 1. Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы

1.  Анализ гомогенного и гетерогенного зарождения новой фазы

2.  Влияние технологических факторов зарождения новой фазы на структуру пленок

3.  Рост пленок. Эпитаксия

4.  Химический рост эпитаксиальных пленок

Глава 2. Физико-химические основы поверхностных процессов

1.  Термодинамика поверхностных процессов

2.  Адсорбционные процессы на поверхности твердых тел

3.  Факторы, влияющие на адгезию

4.  Процессы очистки, промывки и пропитки поверхности

5.  Электрофизические характеристики соприкасающихся поверхностей и границ раздела слоев

Глава 1. Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы

1. Анализ гомогенного и гетерогенного зарождения новой фазы

Пленки металлов, диэлектриков и полупроводников, осажденные на различные поверхности, используют в электронной аппаратуре как функциональные элементы резисторов, конденсаторов, транзисторов, ИМС, ПП, а также различных приборов на акустических поверхностных волнах и магнитных доменах, с зарядовой связью и др. Кроме того, пленки применяют при изготовлении покрытий, обеспечивающих высокие потребительские (эстетические) качества РЭА.

Механизм процессов зарождения и роста пленок во многом определяет их кристаллическую структуру, а следовательно, и электрофизические, физико-химические, механические и эстетические свойства. Поскольку большинство ТП производства РЭА связано с осаждением или растворением пленок, необходимо рассмотреть физико-химические основы процессов зарождения и роста пленок новой фазы.

Пленки как элементы РЭА создаются на поверхности подложек при взаимодействии этих поверхностей с потоком частиц осаждаемых веществ. Результатом такого взаимодействия является появление новой фазы на поверхности подложки (пластины, детали, платы).

Потоки частиц могут иметь различный характер: молекулярные или ионные направленные пучки, потоки газовой и жидкой сред, движущиеся по законам газо- и гидродинамики, а также диффузионные потоки частиц. Процессы зарождения новой фазы могут протекать на границах различных фаз: жидкость — твердое тело, газ (пар) – твердое тело, твердое тело — твердое тело, композиционные пасты — твердое тело, жидкость — пар (газ).

Молекулярный пучок формируется, например, при испарении вещества. Этот пучок, достигая поверхности конденсации (подложки), имеющей температуру значительно ниже температуры испарения, конденсируется на ней, образуя пленку. Если температура конденсации (подложки) ниже температуры плавления вещества, то сначала образуются зародыши твердой фазы, а затем и сама твердая пленка. Если температура конденсации близка к температуре плавления вещества или выше ее, то формируется жидкая пленка. Однако в любом случае исходным материалом для создания пленки является поток частиц (молекул или атомов) от испарителя к подложке. ............