МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Кафедра напівпровідникової електроніки ДИПЛОМНА РОБОТА
Вплив легування цинком на властивості
МОН-структур.
Виконав:
Студент групи ФБЕ-61
Ревула Р.Л.
Науковий керівник:
ст.викл., Логуш О.І.
Консультант з економічної частини:
доц., Мороз Л.Г.
Консультант з охорони праці:
доц., Яцюк Р.А.
ЛЬВІВ-2002 Зміст
Вступ
1. ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД
1.1. Методи вирощування плівок термічного SiO2.
1.2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом.
1.3 . Гетерування дефектів в технології напівпровідникових приладів.
2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
2.1. Методика вирощування плівок термічного SiO2 з одночасним легуванням в процесі росту.
2.2. Визначення параметрів технологічного процесу.
2.3. Методика дослідження дефектності діелектричних плівок.
2.4. Методика вимірювання характеристик систем Si-SiO2.
3. РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ.
3.1. Дослідження пористості плівок термічного SiO2.
3.2 Взаємозв’язок структурної досконалості монокристалічної кремнієвої підкладки і плівокSiO2..
3.3. Гетеруюча дія цинку. Оптимізація технологічного процесу за концентрацією домішки..
3.4. Електрофізичні характеристики структур.
Висновки.
4. Охорона праці.
5. Економічна частина.
Література.
ВСТУП
Використання напівпровідників в електроніці пройшло довгий шлях – від першого детектора на кристалі сульфіду свинцю і до сучасної мікро ЕОМ, яка виконана на кремнієвій пластині, площею меншою 1 см2. Такий результат досягнутий завдяки успіхам технології, яка, в свою чергу, спирається на фізичну електроніку. В наші дні розвиток електроніки безперервно стимулюється успіхами в області фізики напівпровідників і в області технології виробництва нових напівпровіднкових структур та об’єднання їх у великі інтегральні схеми (ВІС).
Підвищення ступеня інтеграції ВІС та пов’язана з цим реалізація граничних розмірів елементів та, відповідно, граничних значень параметрів вимагає якісного вдосконалення практично всіх технологічних процесів створення схем. Зокрема, процес окислення повинен вдосконалюватися в напрямку зменшення товщини та дефектності шару оксиду. Перехід від топологічної норми 2 мкм до 0.5мкм вимагає зменшення товщини оксиду від 0.4-0.8 до 0.1 -0.4 мкм, а його пористості від 10 до 1 см-2 .
Зі сказаного очевидно, що виробництво великих і надвеликих ІМ представить підвищені вимоги до якості вихідних матеріалів. Водночас, зберегти властивості навіть ідеального злитку в реальному технологічному процесі неможливо, так як в кремній вносяться домішки і виникають дефекти. Щоб зменшити вплив цих домішок і дефектів на параметри і надійність мікросхем, в технологічні маршрути вводять спеціальні операції гетерування, завдяки чому вдається зберегти якість робочих областей приладу на заданому рівні.
Вирощування легованих плівок SіO2, як відомо з літератури [1], є одним з методів модифікації електричних параметрів як окремих елементів, так і схеми в цілому. ............