СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1 Пластическая релаксация напряжений несоответствия
1.1.1 Прорастающие дислокации и дислокации несоответствия
1.1.2 Критическая толщина введения дислокаций несоответствия
1.1.3 Модель энергетического баланса
1.1.6 Движение прорастающих дислокаций в напряженных пленках
1.1.7 Зарождение дислокаций несоответсвия в напряженных пленках
1.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CaF2/Si
1.2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия CaF2
1.2.2 Влияние технологических режимов на дефектообразование в CaF2
1.2.3 Влияние ориентации подложки на морфологию СaF2
1.2.4 Влияние отжигов на морфологию и структуру пленок CaF2
2. экспериментальная часть
2.1 Методика проведения эксперимента
2.1.1 Установка МЛЭ "Катунь"
2.1.2 Рентгеновская дифракция
2.1.3 Атомно-силовая микроскопия
2.1.4 Эллипсометрия
2.1.5 I-V характеристики
2.2 Выращивание плёнок GeSi
2.2.1 Исследуемые образцы
2.2.2 Релаксация пленок
2.2.3 Анализ и обсуждение результатов
2.3 Выращивание гетероструктур CaF2/Si
2.3.1 Исследуемые образцы
2.3.2 Морфология поверхности гетероструктур
2.3.3 Электрические характеристики плёнок
3. ОХРАНА ТРУДА И ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ
3.1 Общие положения
3.2 Лица, ответственные за безопасность работы
3.3 Требования к рабочим, обучение и проверка знаний
3.4 Требования к размещению экспериментальных установок и лабораторного оборудования, ввод его в эксплуатацию
заключение
список литературы
Приложение 1. копии демонстрационных материалов
Список сокращений
АСМ – атомно-силовая микроскопия
ИС – интегральная схема
ДБЭ – дифракция быстрых электронов
ДН – дислокация несоответствия
ДМЭ – дифракция медленных электронов
ГР – граница раздела
КИТ – кварцевый измеритель толщины
МЗВ – модуль загрузки-выгрузки
МЛЭ – молекулярно лучевая эпитаксия
ПД – прорастающая дислокация
ПЭМ – просвечивающая электронная микроскопия
ВВЕДЕНИЕ В настоящее время микроэлектроника столкнулась с трудностями на пути дальнейшего уменьшения размеров и увеличения быстродействия элементов ИС. Причём, если проблему уменьшения габаритов приборов ещё удаётся решать (сейчас возможно создание элементов размерами порядка десятков нанометров), то дальнейшее увеличение быстродействия приборов ограничивается физическими свойствами кремния, являющегося основным материалом современной микроэлектроники. Несмотря на все несомненные достоинства кремния, такие как широкая распространённость материала в природе, наличие химически устойчивого природного окисла SiO2, изученность физических, химических и механических свойств, у кремния есть существенный недостаток, а именно небольшая подвижность носителей заряда, что и является основной причиной ограничивающей применение Si в создании СВЧ приборов на его основе. В связи с этим в настоящее время проводятся попытки внедрения в полупроводниковое производство новых материалов и технологий.
Так, чрезвычайно перспективным видится использование ГС на основе GeSi/Si в качестве искусственных подложек для роста GaAs – в перспективе это может привести к совмещению приборов, создаваемых на основе кремниевой технологии, с оптоэлектронными приборами, основным материалом для которых является GaAs. ............
