Интегральные микросхемы серии 500. Серия 500 является системой быстродействующих логических запоми нающих и специальных элементов ЭСЛ-типа. Интегральные микросхемы серии 500 предназначены для применения в технических средствах и используются для построения быстродействующих устройств (процессоры,каналы,устройства управления оперативными и внешними ЗУ и т.п.) Единой Системой ЭВМ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЭСЛ ТИПА. ИМС серии 500 обладают рядом положительных качеств, которые обеспечивают их оптимальное использование в быстродействующей цифро вой аппаратуре: 1) высоким быстродействием; 2) широкими логическими возможностями; 3) постоянством потребления мощности при повышении частоты; 4) большой нагрузочной способностью; 5) постоянством тока потребления от источника основного напряжения; 6) малой критичностью динамических параметров к технологии производства; 7) хорошим соотношением фронта сигнала к его задержке; 8) высокой стабильностью динамических параметров в диапазоне рабочих температур и при изменении напряжения электропитания; ОПИСАНИЕ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА По выходу У1 реализуется функция "И-НЕ" (инверсный выход), по выходу У2 реализуется функция "И" (прямой выход). Схема элемента состоит из то кового переключателя,содержащего две ветви: первая ветвь на транзис торах Т1,Т2; вторая - на транзисторе Т3. Мощность токового переключа теля равняется 10 мВт. Логические уровни "0" и "1" - 0,8 и 1,6 В соответственно. ПРИНЦИП РАБОТЫ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА Случай 1: На все входы элемента одновременно подаются сигналы соответствующие логической единице, транзисторы Т1 и Т2 закрываются, а транзистор Т3 открывается, так как напряжение на его базе выше, чем на базах транзисторов Т1,Т2, и через него проходит ток, задаваемый сопротивлением Rо. Этот ток, уменьшенный на значение тока базы тран зистора Т3, создает на сопротивлении Rк2 падение напряжения,равное -0,8 В. С учетом падения напряжения на переходе база-эмитер транзис торов эмитерных повторителей Uбэо=-0,8 В получим на прямом выходе -1.6 В, а на инверсном выходе - 0,8 В . Случай 2: На один вход элемента, например вход 1, подается сиг нал, соответствующий логическому нулю, транзистор Т1 открывается, а транзистор Т3 закрывается. В этом случае на прямом выходе У2 уровень напряжения будет -0,8 В, а на инверсном -1,6 В. ОПИСАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Транзисторы элемента работают в диапазоне от -1,3В до -0,3В. В активной области меньше -1,3 В транзисторы работают в отсечке, выше -0,3 В входят в режим насыщения.Транзисторы работают в ненасыщенном режиме, благодаря чему из задержек переключения исключается рассасы вание заряда в транзисторе, увеличивается скорость переключения из одного логического состояния в другое. Порог переключения элемента составляет -1,2 В. Выходные эмиттерные повторители обеспечивают малое выходное сопротивление микросхемы, что удобно при согласовании эле ментов в процессе построения многокаскадных схем. Сопротивление Rк1=365 Ом выбрано меньше сопротивления Rк2 = 416 Ом из-за разницы напря жений на базах в токовом переключателе, так на базах транзисторов Т1,Т2 напряжение -0,8 В а на базе Т3 постоянно -1,2 В. Если допустить изменение сопротивления Rк1 в большую сторону, то увеличится напряже ние на базе соответствующего эмиттерного повторителя и он призакроет ся,и если транзистор Т1 или Т2 открыты,то увеличится напряжение на инверсном выходе. ............