Министерство образования Республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Факультет компьютерного проектирования
Кафедра электронной техники и технологии
Реферат на тему: «Ионная имплантация»
Выполнил: Студент гр. 911101 Кравчук А. С.
Проверила: Гуревич О. В.
Минск, 2009
Содержание
Введение
1. Сущность и назначение ионной имплантации
2. Схема установки
3. Основные характеристики ионной имплантации
4. Ионная имплантация и промышленность
5. Дефекты при ионном легировании и способы их устранения
6. Применение ионного легирования в технологии СБИС
6.1 Создание мелких переходов
6.2 Геттерирование
6.3 Эффекты, используемые в технологии СБИС
Заключение
Список литературы
Введение
Ионной имплантацией принято называть легирование тонких приповерхностных слоев твердого тела путем облучения поверхности пучком ионов, ускоренных до энергии 104-106 эВ. Первые публикации по этой тематике датированы началом 60-х годов и речь тогда шла о легировании полупроводников. Это направление доминировало вплоть до начала 80-х годов, когда параллельно с ним появилась и за несколько лет сформировалась новая ветвь исследования и технологии, получившая в последние годы название “имплантационная металлургия”.
Универсальность ионной имплантации (и по виду легирующего вещества, и по виду легируемого материала) на начальном периоде “малых доз” позволяла не ограничивать себя ни физическими, ни экономическими соображениями и пытаться применить ее всюду, где есть твердое тело и необходимость как-то изменить свойства его поверхностного слоя. На фоне колоссального расширения фронта работ до поры до времени можно было не замечать отдельных неудач в применении ионной имплантации к тем или иным системам и тут же переходить к другим задачам. Позже, когда бум “Имплантация может все!” сменился более углубленным и серьезным анализом, начали проясняться некоторые физические ограничения имплантационного метода. Этот процесс начался, когда, с одной стороны, стали пытаться для получения тех же результатов пробовать другие, альтернативные методы, а с другой стороны, началась “гибридизация” имплантационной методики с традиционными технологиями.
Переход имплантационной технологии из лабораторий в промышленность ввел в действие мощный экономический фактор оценки - производительность и стоимость операции. Особенно остро этот вопрос встал именно в связи с “имплантационной металлургией” или имплантацией больших доз, где решающим фактором стоимости всей технологии становится производительность имплантационного оборудования. Даже в полупроводниковой технологии, где размеры обрабатываемой поверхности незначительны, длительность и стоимость операции легирования эмиттерных слоев на стандартном имплантационном оборудовании оказалась непомерно высокой; для потребностей же машиностроения эта проблема усугубляется и масштабом производства, и дешевизной остальных операций технологической цепочки.
В связи с этим возникает настоятельная необходимость провести сравнительный анализ основных технологий модификации поверхностных слоев, высветить физические ограничения ионной имплантации и альтернативных технологий применительно к конкретным задачам науки и техники, а также провести ориентировочную экономическую оценку этих технологий и перспективы их освоения в той или иной области промышленности. Этому и посвящена настоящая работа.
1. ............
