КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ В ходе практики была проведена экскурсия в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками: Участок чистой химии; Участок нанесения фоторезиста; Участок фотокопии; Участок технохимии; Участок плазмохимического травления; Участок диффузии; Участок ионного легирования; Участок нанесения диэлектрических пленок; Участок напыления; Участок контроля электрофизических параметров; Участок испытаний. ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в исходное состояние (нулевое) при подаче уровня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ10 переключаются в момент спада импульсов положительной полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицательной полярности на вход CN при уровне 1 на входе СР. Таким образом, входы CP и CN объединены логической функцией И. При соединении микросхем 564ИЕ10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих, а на входы CN подают уровень 0. На счетчике 564ИЕ10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом деления от 2 до 15. Рис. 1. Графическое изображение МС 564ЕИ10 Рис. 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ10 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ10 1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачная смесь. Оборудование- линия "Лада 125". 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2+пар. 5. Фотолитография. Формирование области р-кармана. 5.1. Нанесение фоторезиста. Фоторезист - ФП383. Установка ХБС. 5.2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ - 576А. 5.3. Проявление фоторезиста. Проявитель - едкий калий. 5.4. Дубление фоторезиста. Установки "Лада". 5.5. Травление окисной пленки. Буферный травитель. 5.6. Контроль. 6. Ионное легирование. Бор 1. "Карман". Установка "Лада 30". 7. Снятие фоторезиста. 7.1. Плазма. Установка "08 ПХО 100Т-001" 7.2. Смесь Каро. 8. Химическая обработка. 9. Разгонка бора. "Карман". Температура 1200ОС. О2+азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+-охраны. 11. Ионное легирование. Бор 2 . Сток- исток. Установка "Везувий-3М". 12. Снятие фоторезиста. Плазма и смесь Каро. 13. Химическая обработка. 14. Разгонка бора. Сток- исток. Температура 1000ОС, О2+пар. 15. Третья фотолитография. Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+-охраны. 16. Химическая обработка. 17. Загонка фосфора (диффузионный метод). Температура 900ОС. Диффузант - POCl3. 18. Снятие фосфорселикатного стекла. HF : H2O =1 :10. 19. Разгонка фосфора. Температура 1000ОС. О2+пар. 20. 4Я фотолитография. Вскрытие областей под затвор и контактные окна. 21. Окисление 2 - подзатворный диэлектрик. Температура 1000ОС. О2+HCl. 22. Стабилизация фосфора. Температура 900ОС. Диффузант - POCl3. 23. Подлегирование. 24. Отжиг подзатворного диэлектрика. 25. 5Я фотолитография. Вскрытие контактных окон. 26. Химическая обработка. 27. Напыление Al+Si. Установка "Магна 2М". 28. 6Я фотолитография. Формирование алюминиевой разводки. 29. Вжигание алюминия. Температура 475ОС в азоте. 30. Нанесение защитного окисла. Температура 400ОС. SiH4+O2. Установка "Аксин". 31. 7Я фотолитография. Вскрытие контактных площадок. 32. 8Я фотолитография. Защита пластин фоторезистом. 33. ............