MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Наука и техника -> Моделирование электростатического поля

Название:Моделирование электростатического поля
Просмотров:95
Раздел:Наука и техника
Ссылка:Скачать(16 KB)
Описание:Метод моделирования электростатического поля имеет широкое применение на практике. Пользуясь этим методом, изучают сложные электростатические поля (в электростатических линзах, в электронных трубках и т.п.).

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

Моделирование электростатического поля Матвеев Виктор Михайлович, Вольф Александр
    Электростатическое поле характеризуется в каждой точке пространства значением вектора напряженности E и значением электростатического потенциала. Направление вектора напряженности в каждой точке поля и распределение потенциала в поле можно сделать наглядным, если провести линии напряженности и поверхности равного потенциала.
    Часто изучение электростатического поля между системой заряженных проводников заменяют изучением поля электрического тока между той же системой проводников, если потенциалы проводников поддерживают постоянными и проводимость среды много меньше проводимости проводников. Такой способ изучения электростатического поля путем создания другого, эквивалентного ему поля называют моделированием электростатического поля.
    Метод моделирования электростатического поля имеет широкое применение на практике. Пользуясь этим методом, изучают сложные электростатические поля (в электростатических линзах, в электронных трубках и т.п.). При этом широко пользуются методом подобия, которое утверждает, что если размеры электродов, создающих поле, и все расстояния между этими электродами изменить в одной пропорции, то структура поля останется прежней.
    Экспериментально легче вести измерения потенциалов электростатического поля, т.к. большинство электроизмерительных приборов измеряют разности потенциалов между различными точками. Обычно экспериментально изучается распределение потенциалов в поле, проводятся поверхности равного потенциала (эквипотенциальные поверхности), а линии напряженности строятся как ортогональные линии к эквипотенциальным поверхностям.
    Экспериментальная установка представлена на рис. 1. Перемещая щуп (С), от одного электрода (А) к другому (В) выбирают такое его положение, при котором разность потенциалов на вертикально отклоняющих пластинах равна нулю. При этом на экране широкая полоса стягивается в линию, а вольтметр показывает потенциал эквипотенциальной линии относительно электрода (А). Точка, в которой находится щуп является точкой эквипотенциальной поверхности. С перемещением движка реостата изменяется величина потенциала.
    В качестве дополнения к данной работе разработана программа FIELD. Она предназначена для компьютерного моделирования электрических полей системы точечных зарядов. Таким образом, появляется возможность экспериментально определить линии напряженности и эквипотенциальные поверхности и тут же смоделировать аналогичную ситуацию на компьютере.
    По принципу суперпозиции полей напряженность E(r) в точке r, обусловленная системой точечных зарядов q1, q2, q3, ..., qN равна
    (1)
    где ri - координата неподвижного i- го заряда и k - постоянная, которая зависит от системы единиц.
    Наглядно векторное поле удобно изображать в виде силовых линий. Алгоритм вычерчивания силовых линий в двухмерном случае выглядит следующим образом:
    1. Выбираем точку (x, y) и вычисляем компоненты Ex и Ey вектора электрического поля E по формуле (1).
    2. Проводим в этой точке небольшой прямолинейный отрезок заданной длины в направлении E. Компоненты этого отрезка равны
    и (2)
    3. ............




Нет комментариев.



Оставить комментарий:

Ваше Имя:
Email:
Антибот:  
Ваш комментарий:  



Похожие работы:

Название:Социолингвистический потенциал и этикетные средства региональной деловой письменности XVIII в.
Просмотров:645
Описание: Никитин О.В. По материалам памятников севернорусских монастырей В архивных монастырских фондах среди многочисленных рукописей социально-экономического характера, официальных указов государственных органов

Название:Состояние и перспективы инновационно-технологического взаимодействия Украины и России: потенциал Украины
Просмотров:524
Описание: Л.И. Федулова Состояние методологической базы. Процесс адаптации России и Украины к глобальным тенденциям технологической интеграции находится на начальной стадии, хотя уже сегодня очевидно, что интеграция в ми

Название:Потенциал изобразительной деятельности в развитии творческого воображения детей старшего дошкольного возраста
Просмотров:654
Описание: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Арзамасский государственный педагогический институт им. А. П. Гайдара» Кафедра педагогики дошкольного и начального образов

Название:Исследование потребительских предпочтений потенциальных заказчиков подсветки
Просмотров:367
Описание: Реферат на тему: Исследование потребительских предпочтений потенциальных заказчиков подсветки Благовещенск 2010 СОДЕРЖАНИЕ Введение 1. Методология исследования 2. Характе

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:690
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru