MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Технология -> Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения

Название:Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Просмотров:128
Раздел:Технология
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Сначала надо познакомиться с механизмом проводимости в полупроводниках. А для этого нужно понять природу связей удерживающих атомы полупроводникового кристалла друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

Подготовлено Учеником 10 "А" класса Школы № 610 Ивчиным Алексеем
    
    
    
    
    
    
     Реферат на тему: "Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их пременеия"
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    План 1. Полупроводники: теория и свойства 2. Основные полупроводниковые приборы (Строение и применение) 3. Типы полупроводниковых приборов 4. Производство 5. Область применения
     1.Полупроводники : теория и свойства
    Сначала надо познакомиться с механизмом проводимости в полупроводниках. А для этого нужно понять природу связей удерживающих атомы полупроводникового кристалла друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл кремния. Кремний-четырехвалентный элемент. Это означает, что во внешней оболочке атома имеются четыре электрона, сравнительно слабо связанные с ядром. Число ближайших соседей каждого атома кремния также равно четырем. Взаимодействие пары соседних атомов осуществляется с помощью паоноэлектронной связи, называемой ковалентной связью. В образовании этой связи от каждого атома участвуют по одному валентному электрону, ко- торые отщепляются от атомов (коллективизируются кристаллом) и при своем движении большую часть времени проводят в пространстве между соседними атомами. Их отрицательный заряд удерживает положительные ионы кремния друг возле друга. Каждый атом образует четыре связи с соседними, и любой валентный электрон может двигаться по одной из них. Дойдя до соседнего атома, он может перейти к следующему, а затем дальше вдоль всего кристалла. Валентные электроны принадлежат всему кристаллу. Парноэлектронные связи кремния достаточно прочны и при низких температурах не разрываются. Поэтому кремний при низкои температуре не проводит электрический ток. Участвующие в связи атомов валентные электроны прочно привязаны к кристаллической решетке, и внешнее электрическое поле не оказывает заметного влияния на их движение.
    Электронная проводимость. При нагревании кремния кинетическая энергия частиц повышается, и наступает разрыв отдельных связей. Некоторые электроны покидают свои орбиты и становятся свободными, подобно электронам в металле. В электрическом поле они перемещаются между узлами решетки, образуя электрический ток. Проводимость полупроводников обусловленную наличием у металлов свободных электронов электронов, называют электронной проводимостью. При повышении температуры число разорванных связей, а значит, и свободных электронов увеливается. При нагревании от 300 до 700 К число свободных носителей заряда увеличивается от 10в17 до 10в24 1/м в3. Это приводит к уменьшению сопротивления.
    Дырочная проводимость.
    При разрыве связи образуется вакантное место с недостающим электроном. Его называют дыркой. В дырке имеется избыточный положительный заряд по сравнению с остальными, нормальными связями. ............






Похожие работы:

Название:Мировая электронная промышленность
Просмотров:698
Описание: Электронную промышленность часто называют детищем НТР, и это действительно так. Сначала она зародилась в недрах электротехники (радиотехники), но затем фактически отделилась от нее, превратившись в самостоятельну

Название:Виды электронного банковского обслуживания
Просмотров:506
Описание: Введение Сегодня любой банк во всем мире выполняет три основные функции: сбор денежных средств, их перемещение, и кредитование ими. Сбор денежных средств сам по себе стоит банку денег, на перемещении средств уже м

Название:Датчики и исполнительные устройства электронных систем управления АТС
Просмотров:678
Описание: Контрольная работа Выполнил: студент гр.ЗФ-421 Мингазов Д.К. Южно-Уральский Государственный Университет Челябинск 2011 Датчик положения коленчатого вала. Датчик положения коленчатого вала (ДПКВ) (см. Фото-1) явл

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:649
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

Название:Пуск в работу питательного электронасоса после ремонта
Просмотров:486
Описание: Учебное пособие Пуск в работу питательного электронасоса после ремонта Груздев В.Б. Рассматривается методика подготовки и пуск питательного насосного агрегата с элект

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru