ВПУ-313. Предмет: Проектирование РЭА. Группа: РА-6. КУРСОВОЙ ПРОЕКТ. На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном
    исполнении схемы усилителя мощности. Учащегося: Короткова Е. В.
    
    
    Преподаватель:
    Даниелян В.С.
    Дата выдачи задания:
    
    Дата окончания проектирования:
    
     Москва 1997г. Схема усилителя мощности. Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот - частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки. Описание элементов. Резисторы: R1 = 2200 Ом R2 = 480 Ом R3 = 4500 Ом R4 = 120 Ом h = 100 мкм bтехн = 100 мкм ?l = 100 мкм ?b = 100 мкм ?R1 = 10% ?R2 = 0,9% ?R3 = 7,2% ?R4 = 0,9% ??s = 0,4% ?sопт = 300 Ом /? P1 = 50 мВт P2 = 25 мВт P3 = 7 мВт P4 = 25 мВт Конденсаторы: С1 = 80 пф С2 = 2200 пф Uраб = 10 в Со = 20 пф/мм*мм ? = 5,2 tg? = 0,002 Кз = 3 Tmax = 60 ?C ?c = 3% ?l = 25 мкм Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС. Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.
     Расчет конденсаторов. 1. Выбор материала диэлектрика.
    Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из
    исходных данных.
    Для C1 - электровакуумное стекло C 41 - 1.
    Для C2 - электровакуумное стекло C 41 - 1.
    Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al. 2. Определение уточненной толщины диэлектрика.
    d=0,0885*?/Co
    d=0,02301 мм 3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.
    S=C/Co*Кз
    SС1=20 мм*мм
    SС2=550 мм*мм 4. Определение размеров обкладок конденсаторов.
    Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:
    __
    lв.о.= bв.о.=? S
    lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм
    lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм
    Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на
    перекрытие, будут равны:
    lн.о.=bн.о.= lв.о.+2(?l+g)
    lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм
    lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм 5. Определение размеров межслойного диэлектрика.
    lд/э= bд/э =lн.о.+ 2(?l+f)
    lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм
    lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм 6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика. S = lд/э* bд/э SС1 = 28,858 мм*мм
    SС2 = 593.0199 мм*мм Расчет резисторов. 1. Выбор материала резистивной пленки.
    Для R1 - нихром X20H80.
    Для R2 - нихром X20H80.
    Для R3 - нихром X20H80.
    Для R2 - нихром X20H80.
    Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.
    ?ф = ?R/R*100 - ??s/?s*100;
    ?ф1 = 0,3212
    ?ф2 = 0,0542
    ?ф3 = 0,0267
    ?ф4 = 0,6167
    Резистивный материал выбран верно т.к. ............