I. СВЕДЕНИЯ ИЗ ТЕОРИИ
    
    Элементарный щелевой излучатель представляет собой щель, прорезанную в идеально проводящем плоском экране неограниченных размеров. Параметры такого излучателя могут быть определены с помощью принципа двойственности. Принцип двойственности применительно к элементарному щелевому излучателю гласит: векторы Е и Н электромагнитного поля щели имеют такое же направление в пространстве и являются такими же функциями координат, как соответственно Н и Е поля элементарного электрического вибратора тех же размеров, что и щель.
    Воспользовавшись принципом перестановочной двойственности можно показать, что поле, создаваемое симметричным щелевым излучателем, совершенно такое же как и поле, создаваемое симметричным электрическим вибратором, при взаимозамене направлений электрического и магнитного векторов.
    Резонансной щелью называют узкую щель, длина которой 2l приблизительно равна половине длины волны в свободном пространстве. Ширина щели d составляет обычно менее десятой доли длины волны. На рис.1 представлены диаграммы направленности элементарного электрического вибратора (а) и элементарного щелевого излучателя (б) соответственно в магнитной и электрической плоскостях.
    
    Характеристики направленности одиночной щели, в отличие от элементарного щелевого излучателя длиной 2l/ 2, прорезанной в бесконечном экране, рассчитываются по формулам: в плоскости Н
    , (1) в плоскости Е
    , (2) где и - угловые координаты точки наблюдения;
    2l - длина щели; .
    Из рассмотрения приведенных формул следует, что щель, прорезанная в экране, не создает направленного излучения в Е-плоскости и ее диаграмма направленности имеет форму полуокружности с каждой стороны экрана. В Н-плоскости направленность излучения щели определяется формулой (1) и зависит от длины щели.
    Выводы о направленности излучения щели, прорезанной в безграничном экране, можно использовать для определения диаграммы направленности щели, прорезанной в стенке волновода, учитывая, что излучение происходит лишь в полупространство. В Н-плоскости диаграмма направленности будет по-прежнему определяться формулой (1), так как излучение вдоль оси щели отсутствует, а, следовательно, размеры экрана в этом направлении существенной роли не играют. В Е-плоскости диаграмма направленности щели, прорезанной в волноводе, зависит от размеров стенки волновода и, следовательно, будет отличаться от полуокружности.
    Поясним зависимость диаграммы направленности щели от размеров стенки волновода. Предположим, что щель прорезана в экране конечных размеров. В Е-плоскости формируется за счет протекания поверхностных токов проводимости (рис.2) и создания на краю экрана резкой неоднородности в распределении электрического поля и возникновения так называемых диафрагмированных волн. В любом направлении от щели в Е-плоскости результирующий вектор электрического поля определяется геометрической суммой вектора электрических полей трех волн. Фаза результирующего поля в точке наблюдения будет зависеть в основном от разности хода между диафрагмированными волнами и волной от щели. ............