СОДЕРЖАНИЕ
    
    ВВЕДЕНИЕ. 2
    ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. 4
    1.1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ. 4
    1.1.1. Выращивание монокристаллов из растворов. 4
    1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы. 9
    Метод конденсации паров компонентов. 10
    Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений 13
    Метод реакций переноса 16
    Методы переноса в протоке. 19
    1.2. СОЕДИНЕНИЯ A11 BVI . ОБЩИЕ СВОЙСТВА. 21
    1.3.ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА АIIBVI. 26
    Технология синтеза и выращивания монокристаллов с определенными свойствами. 29
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 33
    Список используемой литературы. 34 Приложение.
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    ВВЕДЕНИЕ.
    При разработке технологии выращивания монокристаллов любого полупроводникового материала определяют:
    1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой;
    2) влияние условий выращивания монокристаллов на возникновение в них линейных и точечных дефектов,
    3) условия введения в растущий кристалл легирующих примесей и зависимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания;
    4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах различных структурных несовершенств, а также влияние структурных дефектов на характер распределения примесей.
    Для выращивания монокристаллов можно использовать процессы кристаллизации из расплавов, из паровой фазы или из растворов кристаллизующегося вещества в соответствующем растворителе.
    Во всех этих случаях механизм роста кристалла, т. е. механизм присоединения атомов питающей фазы к растущему кристаллу, подчиняется законам повторимого роста.
    Между кристаллом и окружающей его средой всегда существует переходный слой, который образует физическую границу раздела фаз. Все атомы или молекулы, переходящие из одной фазы в другую, некоторое время находятся в том слое, в котором происходят процессы, обусловливающие рост кристалла. Так, например, при выращивании монокристаллов многих полупроводниковых материалов атомы кристаллизующегося вещества выделяются в результате гетерогенной химической реакции, происходящей на поверхности растущего кристалла. При этом в переходном слое устанавливаются сложные химические равновесия, малейшие отклонения от которых вызывают резкие локальные изменения в кинетике роста.
    Таким образом, состав и природа питающей фазы в значительной мере определяют кинетику роста, а изменения состава и внешних условий - возникновение различных несовершенств.
    Выбор метода выращивания монокристаллов каждого данного вещества основывается в первую очередь на изучении его физических и химических свойств. ............