РГРТА
    
    
    Кафедра КПРА
    
    
    
    
    
    
    
    
    Курсовая работа по курсу: "Технологические процессы микроэлектроники"
    На тему: "Усилитель промежуточной частоты"
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    Выполнил ст. гр. 952
    Проверил:
     Рязань 2002
    Содержание Кафедра КПРА 1 Рязань 2001 1 Содержание 2 Исходные данные: 3 Введение 4 Анализ технического задания 5 Разработка топологии 6 Резисторы. 6 Конденсаторы 11 Заключение..........................................................................................................16 Список литературы 17 Исходные данные: Номиналы R1, R10 - Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 - Конденсатор 0.03 мкФ 2шт R2 - Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2, С5 - Конденсатор 6800 рФ 2шт R3 - Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3, С6 - Конденсатор 1500 рФ 2шт R4, R7 - Резистор 15.0 kОМ 2шт; R5 - Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1, VT2 - Транзистор КТ324В 2шт R6 - Резистор 510 ОМ 1шт; (СБО.336.031 ТУ) R8 - Резистор 0.34 kОМ 1шт; R9 - Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 - Трансформатор ВЧ. 1шт Плату следует изготовить методом фотополитографии. Эксплуатационные требования: Тр = -150 +400С, tэ = 1000 ч., корпус, серия К151,159.
     Введение Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная. В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей. Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.
     Анализ технического задания В данной курсовой работе необходимо разработать топологический чертеж усилителя промежуточной частоты. Топологическим называется такой чертеж интегральной микросхемы, в котором указана форма, местоположение и коммутативная связь элементов на подложке. В разработку топологии микросхемы входит: расчет геометрии каждого пленочного элемента и допусков на его размеры, выбор материала для них; определение оптимальных условий расположения пленочных и навесных элементов (при этом должны учитываться рассеиваемые мощности элементов, возможные паразитные связи между ними и их влияние на электрические параметры микросхемы); расчет размеров и выбор материала подложки, определение последовательности и выбор технологии напыления пленок. Плату данного устройства необходимо изготовить фотолитографическим методом, т.е. ............