Государственный комитет РФ по высшему образованию Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники "РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ" Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники"
    Выполнил
     Студент группы 7033у
    Н.Е.Родин
     Проверил
    Преподаватель кафедры ФТТМ
    Б.М.Шишлянников 1998 ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ на курсовую работу по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники"
    
    Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
    
    1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
    материал кремний
    примеси - Ga,P и Sb
    исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
    Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
    2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
    Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
    *?при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии - 30 мин.
    *?при температуре 950 оС; время диффузии - 30 мин.
    *?после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии - 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
    Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г. Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников Студент .....................................................Н.Е. Родин
    Реферат.
    
    В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
    Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    Содержание. Введение........................................................................... 5 1. Расчетная часть................................................................. 6 1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель...... 6 1.2 Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)............................. 10 1.2.1 Расчет распределения Si-Ga................................................... 10 1.2.2 Расчет распределения Si-P...................................................... 13 1.2.3 Расчет распределения Si-Sb.................................................... 14 1.3 Распределение примесей после диффузии.................................. 18 1.3.1 Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога).................... 21 1.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело........................................................... 22 1.3.3 Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей.......................................................... 24 1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей........................ 25 1.4 Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. 28 1.4.1 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин......... 28 1.4.2 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин................... 29 1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. ............