МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА ХТЭХПиМЭТ
РАСЧЕТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА ПО КУРСОВОЙ РАБОТЕ
по курсу “ Технологии полупроводников”
на тему: ”Технология получения монокристаллического InSb p-типа”
Выполнила студентка 4 курса
10 группы ф–та ХтиТ
Каско В. И.
Руководитель: Богомазова Н. В.
Минск 2004
СОДЕРЖАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ
1. ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ
2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ
2.1 Технологическая схема выращивания монокристаллического p-PbSe размером d=3 мм, l=15 мм
3. ОХРАНА ТРУДА И ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
ВВЕДЕНИЕ
На сегодняшний день все халькогениды свинца, включая селенид свинца, являются достаточно изученными полупроводниковыми соединениями, которые уже давно нашли свое применение в электронной техники.
По сравнению с другими полупроводниковыми соединениями, широко применяемыми в электроники, селенид свинца является одним из наиболее узкозонных, что позволяет использовать его в качестве детекторов ИК – излучения [4].
Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца обладают высокой фоточувствительностью в далекой инфракрасной области спектра, причем “красная” граница внутреннего фотоэффекта с понижением температуры смещается в длинноволновую область. Благодаря хорошим фотоэлектрическим свойствам, халькогенидов свинца хорошо используются для изготовления фоторезистов.
При низких температурах в селениде свинца возможна эффективная излучательная рекомбинация, что дает возможность создавать на его основе лазеры инжекционного типа. Кроме того, селенид свинца обладает благоприятным сочетанием свойств для изготовления термоэлементов полупроводниковых термоэлектрических генераторов.
И сегодня интерес к этому соединению не утрачен, о чем свидетельствуют многочисленные работы посвященные изучению его свойств и открытию новых областей его применения [7 – 18].
Основные методы получения PbSe
Таблица 1.2.
Методы Технологические параметры
Свойства кристалла
Примечания
Методом Бриджмена — Стокбаргера
Скорость спуска ампулы 0,5 см/ч.
Температура процесса 1090 0C
Температурный градиент 90 0C
Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца.
D = 1,25 см, l = 6 см.
сMAX = 1018 см-3
Плотность дислокаций 107 см-2 и большое.
[1] Методом Бриджмена — Стокбаргера в тиглях с затравочным вкладышем. Скорость спуска ампулы 1—1,5 см/ч.
Плотность дислокаций 104 - 105 см-2.
[1] Метод Чохральского
Скорость роста 1 – 10 мм/ час
Атмосфера инертного газа.
Давление 0,5 МПа
Под флюсом B2O3
Исходый материал - поликристаллическим селенид свинца
D = 3 см, l = 15 см.
ρ = 2 Ом·см
[1,20] Выращивание из газовой фазы. температуре в зоне конденсации 800° С, температурный градиент меньше 3°
8x5x3 мм
с = 5·1018 см-3
сmin = 1016 см-3 при 77 К
Холловская подвижность 5·104 см2 /В·сек.
Плотности дислокаций 1·106 см-2
[1,20]
1. ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ
В ходе изучения свойств и методов выращивания монокристаллов PbSe сделали вывод о том, что наиболее приемлемым методом выращивания p-PbSe с размерами d=3 см, L=15 см является метод Чохральского. ............
