Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
|
Начало -> Радиоэлектроника
| Название: | Расчет топологии толстопленочной микросхемы |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(8 KB) |
| Описание: | Содержание:
___________
1 Введение и постановка задачи____________________________________4 2 Исходные данные к проекту_______________________________________5 3 Выбор способа формообразования элементов________________________6 5 Топологические расчеты__________________________________________9 6 Выбор материалов пленочных элементов____________________________11 7 Выбор материалов контактных площадок и межсоединений____________13 8 Выбор материалов подложки и ее размеров_________________________14 9 Способ монтажа навесных компонентов_____________________________17 10 Заключительные операции________________________________________18 11 Схема технологического процесса изготовления разработанной ИМС_19 12 Список схем, чертежей и тп_____________________________________20 13 Список литературы______________________________________________21
Введение и постановка задачи
____________________________
Задачей курсового проекта является разработка конструкции ИМС и технологического маршрута ее производства в соответствии с заданной в техническом задании принципиальной электрической
схемой. |
| Название: | Расчет редуктора приборного типа |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(165 KB) |
| Описание: | Содержание задания курсового проекта:
Предлагается спроектировать редуктор механизма азимутального вращения зеркала антенны самолетной РЛС приборного типа по приведённой в задании схеме с заданными параметрами:
* Угол обзора зеркала по азимуту, ?,град........... |
| Название: | Расчет показателей эффективности радиосвязи |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(1936 KB) |
| Описание: | Содержание:
1) Постановка задачи
2) Исходные данные
3) Расчет радиосвязи ионосферными волнами на закрепленных
частотах
4) Расчет радиосвязи ионосферными волнами на группе частот
5) Расчет радиосвязи земными волнами на закрепленных частотах
6) Приложение
7) Список используемой литературы
Постановка задачи
I. |
| Название: | Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(264 KB) |
| Описание: | Задана электрическая цепь, изображенная на рисунке 1:
Требуется:
1) Определить выражения для всех токов в цепи в переходном режиме, решив задачу классическим и операторным методами.
2) Определить выражения для напряжений на емкости и индуктивности, решив задачу классическим и операторным методами.
3) Построить кривые напряжения токов во всех ветвях и напряжений на емкости и индуктивности в функции времени.
Заданные параметры цепи:
(Ом); (Ом); (Гн); (мкФ)
1) Для t?0 получим систему уравнений метода переменных состояния. |
| Название: | Расчет параметров ступенчатого p-n перехода |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(847 KB) |
| Описание: | ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4
Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»
Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов ?k в p-n-переходе.
Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.
Таблица 1. |
| Название: | Расчет настроек автоматического регулятора |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(433 KB) |
| Описание: | Координаты кривой разгона
С помощью программы связи ЭВМ с контроллером снимаем координаты кривой разгона.
Для этого сначала поочередно программируем Ремиконт:
1. |
| Название: | Расчет настроек автоматического регулятора |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(552 KB) |
| Описание: | Содержание.
1. Координаты кривых разгона.
1.1 Схемы для Ремиконта.
1.2 Координаты и график кривой разгона по возмущению.
1.3 Координаты и график кривой разгона по заданию.
1.4 Координаты и график кривой разгона по управлению.
2 |
| Название: | Радиолокация |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(30 KB) |
| Описание: | Оригинальную работу скачивайте в формате *.zip
Задание
1. |
| Название: | Расчет многокаскадного усилителя |
| Раздел: | Радиоэлектроника |
| Ссылка: | Скачать(320 KB) |
| Описание: | ЭТАП №1
Исходные данные для расчета.
Еп=10 В; Rи=150 Ом; Rк=470 Ом; Rн=510; Сн=15 пФ ;Tмин=-30град; Тmax=50град;
Требуемая нижняя частота : Fн=50 кГц.
Используемый тип транзистора: КТ325В (Si ; N-P-N ; ОЭ)
Нестабильность коллекторного тока -
Параметры транзистора:
Граничная частота - Fгр = 800Мгц.
Uкбо(проб)=15В.
Uэбо(проб)=4В.
Iк(мах)=60мА.
Обратный ток коллектора при Uкб=15В : Iкбо<0.5мкА (при Т=298К).
Статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ: h21=70…210.
Емкость коллекторного перехода: Ск<2.5пФ.(при Uкб=5В)
rкэ(нас.)=40 Ом.
Постоянная времени цепи обратной связи: ?к<125 нс.
Для планарного транзистора - технологический параметр = 6.3
Предварительный расчет.
Исходя из значений Еп и Rк, ориентировачно выберем рабочую точку с параметрами Uкэ=4В и Iкэ=1мА.
Типичное значение, для кремниевых транзисторов: Uбэ=0.65В.
Uкб=Uкэ-Uбэ = 3.35В
=2.857 пФ.
=275Ом - Объемное сопротивление базы.
Iб = Iкэ/h21 = 8.264e-6 - ток базы. |
|
